散粒雜訊

散粒雜訊是半導體的載體密度變化引起的雜訊。

散粒效應雜訊是Schottky於1918年研究此類雜訊時，用子彈射入靶子時所產生的雜訊命名的。因此，它又稱為散彈雜訊或顆粒雜訊。在電化學研究中，當電流流過被測體系時，如果被測體系的局部平衡仍沒有被破壞，此時被測體系的散粒效應雜訊可以忽略不計。

散粒雜訊是由形成電流的載流子的分散性造成的，在大多數半導體器件中，它是主要的雜訊來源。在低頻和中頻下，散粒雜訊與頻率無關（白雜訊），高頻時，散粒雜訊譜變得與頻率有關。

散粒雜訊有白雜訊的特性，其電流均方值與電子電荷量q、總的直流電流Idc和帶寬delt(f)成正比關係：I^2=2*q*Idc*delt(f)。