鄭有炓

鄭有炓，1935年出生於福建大田。

1957年南京大學物理系(北京大學等五校聯合半導體專業)畢業。至今一直在南京大學任教。

1984-1986 年參加中、美物理學會“原子、分子和凝聚態物理合作研究計劃”在美國紐約州立大學（Buffalo）物理系開展半導體低維結構研究。 1988-1992年 任國家自然科學基金半導體學科專家評審組成員。1992-2001年任國家自然科學基金半導體學科專家評審組成員、國家“ 863 計劃”光電子主題專家組成員、國家“攀登計劃”項目專家委員會委員。

2002-2003國家自然科學基金委信息科學部第一屆專家諮詢委員會委員。現兼任國家重點基礎研究發展計劃（973計劃）信息科學領域專家諮詢組成員，副組長，國家半導體照明工程研發及產業聯盟顧問、指導委員會委員。現兼任國家重點基礎研究發展計劃（973計劃）信息科學領域專家諮詢組成員，副組長，國家半導體照明工程研發及產業聯盟顧問、指導委員會委員

2003年當選中國科學院院士。

2004年9月，出席首次在中國召開的第十二屆“小顆粒與無機團簇系列國際會議”(ISSPIC)。

2005年4月，由中國科學院信息技術科學部、技術科學部、數學物理學部利用在杭州共同舉辦“固態照明”技術科學論壇之機，在浙江臨安組織舉辦了由簡水生、鄭有炓院士主講的題為“21世紀的節能思考”和“III族氮化物發光材料的科技問題”的報告。鄭有炓院士深入淺出地闡述了半導體照明的特點，介紹了III族氮化物獲取從深紫外到紅外各波長光的特點，展望了半導體發光技術在照明、探測物質結構和超高密度數據存儲等廣泛和重要的應用前景，指出了半導體照明是半導體繼微電子技術革命、光電子技術革命和射頻技術革命之後，又一次造福於全人類的一次技術革命。最後，他結合當地固態照明產業的發展條件和基礎，從市場前景、資金投入和研發步驟等方面出發提出了建設性的意見和建議。

2006年5月，鄭有炓以“當代信息高科技的挑戰”為題，為深圳市電子技術學校的全體教師及優秀學生代表作了一場生動的報告。

2007年11月，第三屆電工電子課程報告論壇在南京市鐘山賓館隆重召開。鄭有炓院士作了題為“現代信息技術中的微電子技術”的報告，柴天佑院士作了題為“工業自動化的發展對自動化專業人才培養的挑戰”的報告，分別就信息領域中微電子技術和自動化技術的發展現狀及其對電類課程教學改革提出的相應要求作了闡述。

2008年9月，參加中國光電行業高端峰會。

2009年9月，出席揚州科技創新·產業合作（南京）推介會並致辭。

2010年1月，參加中科院微電子所“973”計劃和重大科學研究計劃項目“超高頻、大功率化合物半導體器件與集成技術基礎研究”、“納米結構電荷俘獲材料及高密度多值存儲基礎研究”項目實施啟動會議。

2011年2月，擔任常州LED產業創新聯盟顧問。

2011年4月，參加福建物構所舉辦的新材料產業發展與展望研討會。

2012年7月，應邀出任世界客屬第二十五屆懇親大會首席“城市驕傲”形象大使。

2013年5月，參加海峽兩岸功能材料科技與產業峰會。

2014年10月，出席第十一屆長三角科技論壇院士圓桌會議。

2015年9月，鄭有炓院士代表41家發起機構正式宣布第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的成立，科技部副部長曹健林，國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長、北京半導體照明科技促進中心主任吳玲為聯盟揭牌。

2015年11月，第十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2015）在深圳會展中心舉行了盛大的開幕式。鄭有炓出席本次大會併發言指出，LED照明作為寬禁帶半導體材料應用的突破口，引發了“第三代半導體技術”的大發展，其以“高能效、低功耗，兼具極端性能和耐惡劣環境”的獨特性能，順應了當代社會發展的迫切需求，受到了科技界、產業界的高度關注，成為當前全球性的研發熱點。

2015年10月，參加第十二屆長三角科技論壇院士專家建言獻策座談會。圍繞徐州經濟、科技發展、"十三五規劃"建言獻策。

鄭有炓長期致力於半導體異質結構材料、器件及物理研究，在III 族氮化物異質結構、鍺硅異質結構、和硅基納米結構材料及其器件應用的研究上，取得系列創新成果，躋身於國際前列。

鄭有炓總結當時半導體所用的新技術，發展了鍺硅異質結構材料光輻射加熱超低壓CVD生長方法，自己設計、利用南京工廠的加工條件，研製出一套計算機控制的生長設備，製備出優質鍺硅異質結構材料。他緊抓住半導體科學技術發展的前沿熱點，結合承擔的國家863計劃、攀登計劃、973項目及國家自然科學基金等科研任務。帶領研究生組開展一系列研究，在鍺硅、Ⅲ族氮化物和氧化鋅寬頻隙半導體研究領域裡，支撐起一片屬於南大、屬於中國的天地。在鍺硅、Ⅲ族氮化物異質結構研究中，發展了生長鍺硅、Ⅲ族氮化物異質結構材料的新方法、新技術，從極化能帶級帶工程出發，創新發展了多種新器件；提出並實現了鐵電體/氮化鎵、鐵磁體/半導體異質結構新體系；發現鍺硅合金應變誘導有序化新結構，提出新模型；揭示Ⅲ族氮化物異質結構極化、二維電子氣及其相關性質；觀測到碲化鎘/銻化銦異質結構二維電子氣及佔據子帶規律，開拓Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ族異質體系二維電子氣研究領域；提出基於鍺硅技術實現二氧化硅/硅界面量子限制硅納米結構。

在開展科學研究的同時，鄭有炓從未間斷過教書育人的工作。他相信只有培養更多的青年英才，才會使科學研究薪火相傳。十多年來，他努力建立起一支學術梯隊。培養年輕教授6人，包括長江特聘教授1人，博導6人，國家傑出青年基金3人，培養了一大批碩士生、博士生，其中1人獲2001年全國優秀博士學位論文獎。他本人則多次獲江蘇省“優秀學科帶頭人”、“優秀高校教師”和“優秀科學工作者”榮譽。

鄭有炓與研究組已發表論文400餘篇，已被SCI 收錄 332 篇，EI收錄428篇，被 SCI 論文引用1683篇（其中他引1409 篇）基本資料如下：

1、測量MOS結構界面特性的變頻C-V法，南京大學學報，vol.26,no.2,212,1990

2、測量金屬－半導體界面態的肖特基電容譜技術，電子測量與儀器學報，vol.3,no.1,12,1989

3、GaInAs/Al2O3的界面研究，半導體學報，vol.10,no.10,1989

4、N-溝增強型InPMISFET研究，半導體學報，vol.9,no.3,1988

5、導電聚合物P3MT的熒光譜，物理學報，vol.37,no.3,1988

6、聚乙炔半導體熱激電流譜研究，半導體學報，vol.9,no.6,1988

7、計算機控制和處理的深能級瞬態譜研究，電子學保，vol.16,no.4,1988

8、GaInAs/InP異質結二維電子氣，半導體學報，vol.8,no.5,1987

9、PECVDSiO2-InPMIS結構研究，固態電子學研究與進展，vol.7,no.3,1987

10、注硅InP的包封與無包封熱退火，固態電子系研究與進展，vol.7,no.1,1987

11、SiO2/InPMIS結構界面態和體深能級研究，南京大學學報，vol.22,no.4,1986

12、PECVDSiO2/InP結構的AES和XPS分析，南京大學學報，vol.22,no.4,1986

13、分子束外延生長CdTe/InSb異質結輸運性質研究，半導體物理與教學，p.209，1986

14、用橢偏光學方法研究GeSi超晶格結構，半導體學報，1992

15、GaAs/Si異質外延的新進展，，vol.11,no.4,324,1991

16、GeSi/Si異質界哦故的近紅外吸收光譜測量，半導體光電，vol.12,no.4,399,1991

17、RRH/VLP-CVD低溫外延硅薄膜電學性質，半導體學報，vol.12,no.7,1991

18、用橢偏光學方法研究GexSi1-x/Si超晶格結構，半導體學報，1992

19、Ga0.47In0.53As/SiO2與Ga0.47In0.53As/Al2O3的界面性質，半導體學報，vol.10,no.10,1989

20、鍺硅基區異質結雙極型晶體管(GeSi-HBT)的研製，固體電子學研究與進展，vol.12,no.4,1992

21、鍺硅應變層超晶格生長研究，物理學進展，no.1,1993

22、SiGe/Si應變層超晶格量子阱微結構材料的生長與摻雜技術，鍺硅應變層超晶格材料與器件應用（國家科委信息領域辦，863光電子主題專家組出版）

23、SiGe/Si應變層超晶格量子阱材料的優化設計及新器件的發展展望，鍺硅應變層超晶格材料與器件應用（國家科委信息領域辦，863光電子主題專家組出版）

24、Si基GaN的微結構表徵，光散射學報.2003,15(4)

25、用MOCVD方法製備的GaN1-xPx三元合金的喇曼與紅外光譜，半導體學報.2004,25(1)

26、耦合雙量子點中基態電子的隧穿特性，半導體學報.2004,25(1)

27、p溝道鍺/硅異質納米結構MOSFET存儲器及其邏輯陣列，半導體學報.2004,25(2)

28、AlGaN/GaN異質結構歐姆接觸的研製，固體電子學研究與進展.2004,24(1)36、藍寶石襯底上6H-SiC單晶薄膜的化學氣相澱積生長，功能材料.2004,35(2)

29、Zn1-xMgxO薄膜的低壓MOCVD生長與性質，半導體學報.2004,25(7)

30、ZnO納米島的MOCVD自組裝生長，半導體學報.2004,25(7)

1、HestructureandpropertyofSiGe/Siquantumwells,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

2、RamanscatteringspectroscotyofGeSi/Sistrainedlayersuperlattice,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

3、NovelPhotocurrentResponefoaporoussilicon,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

4、PhaseformationandGesegregationinthethremalreactionbetweenPtandGeSi/SiHetewostructure,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

5、StudyofGemovementduringthermalreactionsbetweenPtandGe/Siheterostructures,Appl.phys.lett,vol.62,no.25,1993

6、InfluenceofPolarizationEffectsontheEnergyBandofAlGaN/GaN/AlGaNHeterostructures,ChinesePhysicsLetters（中國物理快報：英文版）.2004,21(4)

1、1991-1995 負責國家八六三計劃項目”GeSi超晶格材料與應用“

2、1991-1995 負責國家重大基礎研究項目“GeSi超晶格材料生長、物性和器件開發”

3、1992-1994 負責國防科工委項目“GeSi紅外探測器”

4、1992-1994 負責國家自然科學基金項目“GeSi基區異質結晶體管研究”

5、1991-1995 負責省科委項目“GeSi材料與器件研究開發”

6、1991-1992 負責省科委項目“新型GeSi紅外探測器研究”

7、1993-1995 負責國家高技術863計劃項目“應變層結構GeSi/Si的穩定性及其改善對策研究”

8、1993-1995 負責國家高技術863計劃項目“GeSi/Si異質結構材料生長研究”

9、1993-1995 指導國家教委博士點基金項目“GeSi/Si超晶格材料表徵研究”

10、1993-1995 指導南京大學基金項目“GeSi/Si超晶格選擇外延研究”

11、1993-1995 負責江蘇省科委項目“新型GeSi材料與器件研究開發

1、1991 “快速輻射加熱，超低壓化學氣相澱積原子級外延方法與系統”通過國家科委鑒定

2、1990 “半導體界面測試的變頻C-V技術”通過江蘇省科委鑒定

3、1990 “一種獲得半導體異質結與超晶格材料的方法及設備”獲中國專利局發明專利，專利號：90105603.0

4、1990 “半導體界面態變頻C-V測量儀”獲國家專利，專利號：90227508

5、1992 一種獲得低表面分凝Si－GeSi異質結構外延生長方法”獲國家專利，專利號：92109725.5

（以上資料來源）

據中國科學技術信息研究所、國家工程技術數字研究館信息：1999年至2004年期間，鄭有炓共培養6名學生獲得博士學位，碩士11名，基本情況如下：

【楊紅官】學位類別：博士；授予學位日期 2004年04月01日；授予學位單位：南京大學；學位論文：鍺/硅異質納米結構MOSFET存儲器

【鄧詠楨】學位類別：碩士；授予學位日期 2004年03月20日；授予學位單位：南京大學；學位論文：AlN和SiGeC的應變和深能級研究

【盧佃清】學位類別：博士；授予學位日期 2004年04月08日；授予學位單位：南京大學；學位論文：GaN材料HVPE生長研究

【劉傑】學位類別：碩士；授予學位日期 2003年05月20日；授予學位單位：南京大學；學位論文：Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN異質結構材料物性研究

【席冬娟】學位類別：碩士；授予學位日期 2002年11月20日；授予學位單位：南京大學；學位論文：硅基Ⅲ族氮化物寬頻隙半導體界面性質研究

【陳平】學位類別：碩士；授予學位日期 2002年06月04日；授予學位單位：南京大學；學位論文：Si、SiC異質外延生長研究

【鄭澤偉】學位類別：博士；授予學位日期 2002年05月28日；授予學位單位：南京大學；學位論文：Ⅲ族氮化物AlGaN/GaN異質結構輸運性質研究

【徐劍】學位類別：碩士；授予學位日期 2002年05月20日；授予學位單位：南京大學；學位論文：氮化鎵的激光分離技術及稀釋磁性半導體的研究

【謝世勇】學位類別：碩士；授予學位日期 2001年06月01日；授予學位單位：南京大學；學位論文：注Mg:GaN的光學性質與GaN高溫輸運特性的智能化測試

【趙作明】學位類別：碩士；授予學位日期 2001年05月20日；授予學位單位：南京大學；學位論文：Si基GaN材料及其光電探測器的研究

【陳克林】學位類別：碩士；授予學位日期 2001年05月19日；授予學位單位：南京大學；學位論文：GaN濕法腐蝕及HVPE生長系統研究

【袁曉利】學位類別：博士；授予學位日期 2001年05月10日；授予學位單位：南京大學；學位論文：硅納米晶粒浮置柵MOS存儲器特性的研究

【陳鵬】學位類別：博士；授予學位日期 2000年11月01日；授予學位單位：南京大學；學位論文：Si基Ⅲ-族氮化物生長和Ⅲ-族氮化物MIS結構研究

【羅志雲】學位類別：碩士；授予學位日期 2000年06月01日；授予學位單位：南京大學；學位論文：Si基Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,Y>體系近紅外探測器的研究

【程雪梅】學位類別：碩士；授予學位日期 2000年06月01日；授予學位單位：南京大學；學位論文：硅基富Ge-SiGeC合金薄膜熱氧化發光和退火性質研究

【陳志忠】學位類別：博士；授予學位日期 2000年05月01日；授予學位單位：南京大學；學位論文：GaN薄膜材料光學、電學性質及微結構研究

【臧嵐】學位類別：碩士；授予學位日期 1999年06月01日；授予學位單位：南京大學；學位論文：GeSi合金體系及GaN材料與器件研究

（以上資料來源）