反向電流

反向電流越小，管子的單方嚮導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關係，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極體，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方嚮導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極體，25℃時反向電流僅為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極體比鍺二極體在高溫下具有較好的穩定性。它的符號是I(下標R)。

晶體管的反向電流包括：ICBO和ICEO。

ICBO也稱集電極反向漏電電流，是指當晶體管的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。

ICEO是指當晶體管的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。

Icbo和Iceo的關係

設β為直流共射集-基電流比，則Icbo和Iceo的關係可表示為。