放射率

由模擬結果得知：當較小時，晶圓有效放射率與實際晶圓放射率之差距也較大。此時，反射盤反射率較大，亦即反射盤的反射增強對於的影響。當晶圓放射率較低時，由於被晶圓下表面反射之加熱燈入射通量與晶圓黑體放射功率之比率較大的原因，加熱燈入射通量的影響不僅明顯，且影響較大之徑向位置亦有往中心(r=0m)移動的現象。同樣地，隨著晶圓與保護環間隙由~逐漸減少時，在實際加熱過程中，所有表面入射通量對於有效放射率之影響較大的徑向位置，有往晶圓外緣靠近的趨勢。