張懷武

曾留學韓國科學院和日本東北大學。先後在美國Ansoft公司、義大利電工所、俄羅斯ELMA、烏克蘭CARAT、韓國KIST、日本東北大學進行科研合作及學術交流。兼任歐洲《J.Vacuum》、美國《J.THz Science and Technology>》、《電子學報》、《硅酸鹽學報》等學術刊物編委。現任電子薄膜與集成器件國家重點實驗室副主任，磁學國家重點實驗室學術委員會委員，國務院學位委員會電子科學與技術分委會委員，教育部高等學校電子科學與技術專業教學指導委員會委員，電子信息材料與器件國家級實驗教學示範中心主任。

長期致力於電子信息科學與技術領域的基礎理論、材料、器件、系統研究工作。在微波通信用大尺寸單晶生長理論和提拉技術方面取得了突破，使我國成為少數擁有此技術的國家；提出高密度抗毀傷磁光信息存儲理論，成功研製出磁光信息器件並實現了產業化；突破了新型節能磁性材料及低溫共燒複合雙性能磁電材料的瓶頸技術，對我國磁性材料與器件從第三代過渡到第四代具有極大的促進作用。作為首席科學家承擔特大工程“代號XXX”項目2項，國家自然科學重大項目、重點項目和國家973、863項目多項。

基於以上成果，於“九五”期間，建成了國內第一條磁光碟生產線；2006年建成國內和四川省第一條LTCC型集成片式濾波器生產線，年產4億隻器件；2009年建成光通信和微波通信用晶體生產線，繼美國、俄羅斯、烏克蘭后在國際上成功拉制出4英寸GGG晶體，發明了3英寸無鉛超厚磁光通信晶體外延技術，使我國在該類晶體研製方面邁入世界前列；寬頻雙性抗EMI材料、低功耗鐵氧體磁性材料與器件自主創新技術已在國內多家企業技術推廣應用，累計已獲產值36億。

曾獲國家技術發明二等獎1項，國家科技進步二等獎1項，國際科學工程榮譽獎1項，教育部自然科學獎一等獎1項，省部級科技進步一等獎4項，二等獎6項，三等獎11項。在國內外刊物發表論文300餘篇，發表SCI收錄論文289篇；取得國家授權發明專利22項；培養碩士研究生50餘人、博士研究生20餘人。出版著有《電子薄膜》、《抗電磁干擾材料與元器件》、《現代印製電路原理與工藝》、《自旋電子學》4本專著。擔任”電子材料”國家精品課程負責人，“電子科學與技術”國家級特色專業負責人。

2015年7月31日，入選中國科學院院士增選初步候選人名單。

2021年8月1日，2021年中國科學院院士增選初步候選人名單公布，張懷武位列其中。