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硅超高頻低雜訊功率管是一種基於N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低雜訊特性、大動態範圍和理想的電流特性。主要應用於超高頻低雜訊功率管主要應用於VHJF，UHF，CATV高頻寬頻低雜訊放大器。

類別：NPN-硅通用晶體管

集電極-發射極電壓VCEO：12V

集電極-基極電壓VCBO:20V

發射極-基極電壓VEBO:3.0V

集電極直流電流IC:100mA

總耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW

工作結溫Tj:150℃

貯存溫度Tstg:-65~150℃

電性能參數（TA=25℃）：

擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0

直流放大係數hFE:50~300

集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)

發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)

特徵頻率fT:7.0GHz

封裝：SOT-23

功率特性：中功率

極性：NPN型

結構：擴散型

材料：硅(Si)

封裝材料：塑料封裝

集電極允許電流：0.1（A）

集電極最大允許耗散功率：0.2（W）