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EBIT
電子束離子阱(ElectronBeamIonTrap)
EBIT 全稱為Electron Beam Ion Trap,即電子束離子阱。電子束從電子槍中被引出后，被漂移管和電子槍之間的高電壓差加速，與之同時，電子束被位於漂移管段的超導亥姆霍茲線圈產生的強磁場約束，電子束在漂移管段時半徑達到最小。在漂移管中與低電荷態離子碰撞，使離子的電子不斷被剝離，電荷態不斷升高，直至平衡。通過選擇電子束的能量和密度可以選擇離子的電荷態。電子經過漂移管后被減速，最後被電子接收部件收集。
電子束離子阱(Electron Beam Ion Trap)，是一種集光源和離子源於一身的小型設備。
低電荷態離子可以有兩種方法注入到漂移管區域：一種是通過金屬蒸汽真空電弧(MEVVA)或激光離子源(LIS)產生離子后將離子引入到漂移管，再者是可以直接把氣體原子通過漂移管觀察窗輸入到漂移管中央，與電子初步碰撞后就形成低電荷態離子。離子一旦形成，就受到三重約束：電子束的空間分佈(30—70微米)對離子的徑向約束，超導線圈磁場對離子的附加徑向約束及漂移管兩端靜電場對離子的軸向約束。