共找到2條詞條名為真空鍍膜的結果 展開

真空鍍膜

李雲奇編著圖書

目錄

正文


真空鍍膜
所屬類別
科技 >> 化工 >> 化學工程
作者:李雲奇 編著
叢書名:真空科學技術叢書
出版日期:2012年8月 書號:978-7-122-12780-8
開本:16 裝幀:平 版次:1版1次 頁數:310頁
本書是本著突出近代真空鍍膜技術進步,注重系統性、強調實用性而編著的。全書共11章,內容包涵了真空鍍膜中物理基礎,各種蒸發源與濺射靶的設計、特點、使用要求,各種真空鍍膜方法以及薄膜的測量與監控,真空鍍膜工藝對環境的要求等。本書具有權威性、實用性和通用性。
本書可作為從事真空鍍膜技術的技術人員、真空專業的本科生、研究生教材使用,亦可供鍍膜、表面改型等專業和真空行業技術人員參考。
目錄
第1章真空鍍膜概論
11概述
12影響固體表面結構、形貌及其性能的因素
121原子和分子構成固體物質
122多晶體物質結構
123材料受到的各種應力負荷
124材料加工所帶來的缺陷
125基片表面塗敷硬質薄膜的必要性
13真空鍍膜及其工藝特點和應賦予塗層的功能
14薄膜的特徵
141薄膜的結構特徵
142金屬薄膜的電導特徵
143金屬薄膜電阻溫度係數特徵
144薄膜的密度特徵
145薄膜的時效變化特徵
15薄膜的應用
151電子工業用薄膜
152光學工業中應用的各種光學薄膜
153機械、化工、石油等工業中應用的硬質膜、耐蝕膜和潤滑膜
154有機分子薄膜
155民用及食品工業中的裝飾膜和包裝膜
16真空鍍膜的發展歷程及最新進展
參考文獻
第2章真空鍍膜技術基礎
21真空鍍膜物理基礎
211真空及真空狀態的表徵和測量
212氣體的基本性質
213氣體的流動與流導
214氣體分子與固體表面的相互作用
22真空鍍膜低溫等離子體基礎
221等離子體及其分類與獲得
222低氣壓下氣體的放電
223低氣壓下氣體放電的類型
224低氣壓下冷陰極氣體輝光放電
225低氣壓非自持熱陰極弧光放電
226低氣壓自持冷陰極弧光放電
227磁控輝光放電
228空心冷陰極輝光放電
229高頻放電
2210等離子體宏觀中性特徵及其中性空間強度的判別
23薄膜的生長與膜結構
231膜的生長過程及影響膜生長的因素
232薄膜的結構及其結構缺陷
24薄膜的性質及其影響因素
241薄膜的力學性質及其影響因素
242薄膜的電學性質
243薄膜的光學性質及其影響膜折射率的因素
244薄膜的磁學性質
參考文獻
第3章蒸發源與濺射靶
31蒸發源
311蒸發源及其設計與使用中應考慮的問題
312電阻加熱式蒸發源
313電子束加熱式蒸發源
314空心熱陰極等離子體電子束蒸發源
315感應加熱式蒸發源
316激光加熱式蒸發源
317輻射加熱式蒸發源
318蒸發源材料
319蒸發源的發射特性及膜層的厚度分佈
32濺射靶
321濺射靶的結構及其設計要求
322濺射靶材
參考文獻
第4章真空蒸發鍍膜
41真空蒸發鍍膜技術
411真空蒸發鍍膜原理及蒸鍍條件
412薄膜材料
413合金膜的蒸鍍
414化合物膜的蒸鍍
415影響真空蒸鍍性能的因素
42分子束外延技術
421分子束外延生長的基本原理與過程
422分子束外延生長的條件、製備方法與特點
423分子束外延生長參數選擇
424影響分子束外延的因素
425分子束外延裝置
43真空蒸發鍍膜設備
431真空蒸發鍍膜機的類型及其結構
432真空蒸發鍍膜機中的主要構件
44真空蒸發塗層的製備實例
441真空蒸鍍鋁塗層
442真空蒸鍍Cd(Se,S)塗層
443真空蒸鍍ZrO2塗層
444分子束外延生長金單晶塗層
參考文獻
第5章真空濺射鍍膜
51真空濺射鍍膜的復興與發展
52真空濺射鍍膜技術
521真空濺射鍍膜的機理分析及其濺射過程
522靶材粒子向基體上的遷移過程
523靶材粒子在基體上的成膜過程
524濺射薄膜的特點及濺射方式
525直流濺射鍍膜
526磁控濺射鍍膜
527射頻濺射鍍膜
徠528反應濺射鍍膜
529中頻濺射與脈衝濺射鍍膜
5210對向靶等離子體濺射鍍膜
5211偏壓濺射鍍膜
53真空濺射鍍膜設備
531間歇式真空濺射鍍膜機
532半連續磁控濺射鍍膜機
533大面積連續式磁控濺射鍍膜設備
參考文獻
第6章真空離子鍍膜
61真空離子鍍膜及其分類
62離子鍍膜原理及其成膜條件
63離子鍍膜過程中等離子體的作用及到達基體入射的粒子能量
64離子轟擊在離子鍍過程中產生的物理化學效應
65離化率與中性粒子和離子的能量及膜層表面上的活化係數
651離化率
652中性粒子所帶的能量
653離子能量
654膜層表面的能量活化係數
66離子鍍塗層的特點及其應用範圍
67離子鍍膜的參數
671鍍膜室的氣體壓力
672反應氣體的分壓
673蒸發源功率
674蒸發速率
675蒸發源和基體間的距離
676沉積速率
677基體的負偏壓
678基體溫度
68離子鍍膜裝置及常用的幾種鍍膜設備
681直流二極、三極及多極型離子裝置
682活性反應離子鍍裝置
683空心陰極放電離子鍍膜裝置
684射頻放電離子鍍裝置
685磁控濺射離子鍍膜裝置
686真空陰極電弧離子鍍膜裝置
687冷電弧陰極離子鍍膜裝置
688熱陰極強流電弧離子鍍裝置
參考文獻
第7章離子束沉積與離子束輔助沉積
71離子束沉積技術
711離子束沉積原理及特點
712直接引出式離子束沉積技術
713質量分離式離子束沉積技術
714離化團束沉積技術
715等離子體浸沒式沉積技術
716氣固兩用離子束沉積技術
72離子束輔助沉積技術
721離子束輔助沉積過程的機理
722離子束輔助沉積的方式及其能量選擇範圍
723離子束輔助沉積技術的特點
724離子束輔助沉積裝置
725微波電子迴旋等離子體增強濺射沉積裝置
726離子源
參考文獻
第8章化學氣相沉積
81概述
82CVD技術中的各類成膜方法及特點
83CVD技術的成膜條件及其反應類型
831CVD反應的條件
832CVD技術的反應類型
84化學氣相沉積用先驅反應物質的選擇
85影響CVD沉積薄膜質量的因素
851沉積溫度對膜質量的影響
852反應氣體濃度及相互間的比例對膜質量的影響
853基片對膜質量的影響
86常壓化學氣相沉積技術與裝置
861常壓CVD技術的一般原理
862常壓的CVD裝置
87低壓化學氣相沉積(LPCVD)
871LPCVD的原理及特點
872LPCVD裝置的組成
873LPCVD製備塗層的實例
88等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)
881PECVD的成膜過程及特點
882PECVD裝置
883PECVD薄膜的工藝實例
89金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)
810光輔助化學氣相沉積(PHCVD)
參考文獻
第9章薄膜的測量與監控
91概述
92薄膜厚度的測量
921薄膜厚度的光學測量法
922薄膜厚度的電學測量法
923薄膜厚度的機械測量法
93薄膜應力的測量
931基片變形法
932衍射法
94薄膜的附著力測量
941膠帶剝離法
942拉倒法
943拉張法
944划痕法
95薄膜的硬度測量
951維氏硬度
952努氏硬度
96薄膜的光譜特性測量
參考文獻
第10章薄膜性能分析
101概述
102電子作用於固體表面上所產生的各種效應
1021背散射電子
1022二次電子
1023吸收電子和透射電子
1024俄歇電子
1025特徵X射線
1026陰極熒光
1027電子束感生電流
103離子作用於固體表面所產生的效應
1031一次離子的表面散射
1032反向散射離子
1033正負二次電子
104光子作用於固體表面所產生的效應
1041波長較短的X射線
1042波長較長的X射線
105薄膜形貌觀察與結構分析
1051光學顯微鏡
1052掃描電子顯微鏡
1053透射電子顯微鏡
1054X射線衍射儀
1055低能電子衍射和反射式高能電子衍射
1056掃描探針顯微鏡
106薄膜組成分析
1061俄歇電子能譜儀
1062二次離子質譜分析儀
1063盧瑟福背散射分析儀
1064X射線光電子能譜儀
參考文獻
第11章真空鍍膜技術中的清潔處理
111概述
112真空鍍膜設備的清潔處理
1121真空鍍膜設備污染物的來源及清潔處理
1122真空鍍膜設備真空系統的清洗處理
113真空鍍膜設備的環境要求
114真空鍍膜工藝對環境的要求
1141真空鍍膜工藝對環境的基本要求
1142基片表面污染物來源及清潔處理
115鍍件表面處理的基本方法
116真空鍍膜常用材料的清洗方法
117真空鍍膜設備型號編製方法、試驗方法
1171真空設備型號編製方法(JB/T 7673—1995)
1172真空鍍膜設備通用技術條件(摘自GB/T 11164—99)
參考文獻