DDR3

CWD是作為寫入延遲之用，Reset提供了超省電功能的命令，可以讓DDR3 SDRAM內存顆粒電路停止運作、進入超省電待命模式，ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能，新增這個線路腳位提供了ODCE（On Die Calibration Engine）用來校準ODT（On Die Termination）內部終端電阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可編程化溫度控制內存時脈功能，SRT的加入讓內存顆粒在溫度、時脈和電源管理上進行優化，可以說在內存內，就做了電源管理的功能，同時讓內存顆粒的穩定度也大為提升，確保內存顆粒不致於工作時脈過高導致燒毀的狀況，同時DDR3 SDRAM還加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以說針對整個內存Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效。

1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有等效數據頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率（內核頻率）只有100MHz。

2．採用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。

3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。

1.突髮長度（Burst Length，BL）：由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bitBurst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。

2.定址時序（Timing）：就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能：重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終於在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，並切換至最少量活動狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程序裝置將複位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。

4.DDR3新增ZQ校準功能：ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之後用512個時鐘周期，在退出自刷新操作後用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

5.參考電壓分成兩個：在DDR3系統中，對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據匯流排服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據匯流排的信噪等級。

6.點對點連接（Point-to-Point，P2P）：這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能有一個插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關係（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關係（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級內存緩衝器）。面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由於DDR3所採用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是台式機而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也是一片光明。Intel所推出的新晶元-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支持DDR2及DDR3兩種規格。

邏輯Bank數量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶元的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

封裝（Packages）

DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶元採用78球FBGA封裝，16bit晶元採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

降低功耗

DDR3內存在達到高帶寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關數據預測DDR3將比現時DDR2節省30%的功耗，當然發熱量我們也不需要擔心。就帶寬和功耗之間作個平衡，對比現有的DDR2-800產品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但內存帶寬大幅提升，功耗表現也比上代更好

(1)功耗和發熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易於被用戶和廠家接受。

(2)工作頻率更高：由於能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。

(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為16M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存顆粒規格多為32M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少后，顯存功耗也能進一步降低。

(4)通用性好：相對於DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由於針腳、封裝等關鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能採用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。

DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。許多低端的顯卡也有採用DDR3顯存的。

2002年 DDR3宣稱

早在2002年6月28日，JEDEC就宣布開始開發DDR3內存標準，但從2006的情況來看，DDR2才剛開始普及，DDR3標準更是連影也沒見到。不過已經有眾多廠商拿出了自己的DDR3解決方案，紛紛宣布成功開發出了DDR3內存晶元，從中我們彷彿能感覺到DDR3臨近的腳步。而從已經有晶元可以生產出來這一點來看，DDR3的標準設計工作也已經接近尾聲。

2008年 DDR3的市場份額將達到55%

半導體市場調查機構iSuppli預測DDR3內存將會在2008年替代DDR2成為市場上的主流產品，iSuppli認為在那個時候DDR3的市場份額將達到55%。截至2008年11月底的情況看，這個預期還是比較準確，市場上已經佔據了很多運行頻率為1066,1333,1600,甚至2000MHz的DDR3內存，介面類型有204和240 PIN兩種。不過，就具體的設計來看，DDR3與DDR2的基礎架構並沒有本質的不同。從某種角度講，DDR3是為了解決DDR2發展所面臨的限制而催生的產物。

DDR3內存新特點

由於DDR2內存的各種不足，制約了其進一步的廣泛應用，DDR3內存的出現，正是為了解決DDR2內存出現的問題，具體有：

更高的外部數據傳輸率

更先進的地址/命令與控制匯流排的拓樸架構

在保證性能的同時將能耗進一步降低

為了滿足這些要求，DDR3內存在DDR2內存的基礎上所做的主要改進包括：

8bit預取設計，DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。

採用點對點的拓樸架構，減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。

2009年單根PC內存條的容量已達到了驚人的32GB

在2009年冬季即將結束，三星正式推出目前世界上單顆密度最大的DDR3晶元，基於50納米製造工藝，推單顆容量到了4Gb,這個終於使得我們可以更快的跨入64位的時代，因為單根PC內存條的容量已達到了驚人的32GB。新的晶元比先前的DDR3晶元功耗降低了40%，

其次，這也為單根32GB的內存條的上市掃清了障礙，最初面市的32GB的RDIMM內存用於伺服器領域採取雙面封裝（每一面由4×4GDDR3晶元組成），同時會面對桌面市場提供8G的UDIMM內存提供給工作站和PC平台，以及8GB的SO-DIMM筆記本電腦內存。新的低功耗DDR3內存設計工作電壓為1.35V，比之前1.5V的DDR3晶元降低大約20%功耗，同時最大吞吐速度達到1.6Gbps。另外，DDR2的價格恐怕會依然疲軟，我在想我的本本是不是應該升級到DDR2 4GB了呢？而根據IDC的預測DDR3內存市場份額將從目29%到2011年達到72%。