DDR內存

DDR是21世紀初主流內存規範，各大晶元組廠商的主流產品全部是支持它的。DDR全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR的標稱和SDRAM一樣採用頻率。截至2017年，DDR運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由於DDR內存具有雙倍速率傳輸數據的特性，因此在DDR內存的標識上採用了工作頻率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些內存生產廠商為了迎合發燒友的需求，還推出了更高頻率的DDR內存。其最重要的改變是在界面數據傳輸上，他在時鐘信號的上升沿與下降沿均可進行數據處理，使數據傳輸率達到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至於定址與控制信號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。

DDR SDRAM模塊部分與SDRAM模塊相比，改為採用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣介面則由「LVTTL」改變為「SSTL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。DDR SDRAM模塊一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模塊並不兼容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以數據傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與 PC1600 是相同的規格，數據傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s)，而 DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。

DDR SDRAM 在規格上按信號延遲時間(CL；CAS Latency，CL是指內存在收到訊號后，要等待多少個系統時鐘周期后才進行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看內存顆粒的原始設定值，否則會造成系統的不穩定)也有所區別。按照電子工程設計發展聯合協會（JEDEC）的定義(規格書編號為JESD79)：DDR SDRAM一共有兩種CAS延遲，分為2ns以及2.5ns(ns為十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規格的 DDR SDRAM稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2.5 加上PC 2100規格的DDR SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。

它代表了內存所能穩定運行的最大頻率。市場上看到的DDR內存有DDR533、DDR667、DDR800和DDR1333等。

存取時間代表了讀取數據所延遲的時間。以前人們有個誤區，認為它和系統時鐘頻率有著某種聯繫，其實二者在本質上是有著顯著的區別的，可以說完全是兩回事。存取時間和時鐘周期一樣，越小則越優。

CAS的延遲時間

這是指縱向地址脈衝的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規範的內存的重要標誌之一。我們用CAS Latency(CL)這個指標來衡量。在這裡需要友情提醒一下想在近期購買電腦的讀者，Intel的處理器相對而言的對延遲時間不敏感，影響Intel處理器性能的主要是內存的時鐘頻率；而對AMD處理器而言，影響它的主要是CAS延遲時間，因此AMD平台的讀者在這個參數上要多多注意。