PbSe

硒化鉛 分子式：PbSe

lead selenide

PbSe是一種具有立方結構窄禁帶的半導體材料，晶格常數0.6122nm，常壓下其密度8.15g/cm，熔點1065℃。PbSe具有很多獨特的物理性能，如介電常數高，載流子遷移率高（室溫下空穴遷移率約為300cm/（vs）），直接帶隙窄（E0：:028 -0.41eV）,並具有電子導電性能，即具有金屬特性。這類半導體都是從研究紅外探測器發展起來的。由於這類材料禁帶窄, 具有良好的光電導效應, 雜訊低，對外界條件的影響反應比較靈敏，適用於製造敏感器件。

近幾年，科學家已經在納米晶PbSe、PbS、PbTe等材料中觀察到了“多載流子效應”，俗稱“雪崩效應”。利用PbSe等納米半導體材料製作的太陽能電池最高理論轉換效率可望達到44%。因此，PbSe納米晶材料在太陽電池材料、光敏感測器材料、光催化材料等方面具有廣闊的基礎研究及應用前景。