pmos

金屬氧化物 半導體 場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和 漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型 反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的 電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道 增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型 反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和 工作電壓 絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小於N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS 晶體管閾值電壓的 絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬— 氧化物— 半導體集成電路)出現之後，多數已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡單，價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍採用PMOS電路技術。

MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區，作為NMOS的源漏區；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區，作為PMOS的源漏區。兩塊源漏摻雜區之間的距離稱為溝道長度L，而垂直於溝道長度的有效源漏區尺寸稱為溝道寬度W。對於這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據源漏電流的流向才能最後確認具體的源和漏。

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數 載流子是空穴，少數載流子是電子，源漏區的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對於源極施加 負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是 負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等於PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時，在相對於源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源 漏電流。同樣地，VGS越負( 絕對值越大)，溝道的 導通電阻越小，電流的數值越大。

與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界 飽和點和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處於截止區，其電壓條件是

VGS

VGS>VTP (PMOS)，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路採用-24V 電壓供電。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便於直接耦合，容易製成規模大的集成電路。

各種場效應管特性比較

在2004年12月的國際電子器件會議(IEDM)上表示：雙應力襯墊(DSL)方法導致NMOS和PMOS中的有效驅動電流分別增加15%和32%，飽和驅動電流分別增加11%和20%。PMOS的空穴遷移率在不使用SiGe的情況下可以提高60%，這已經成為其他應變硅研究的焦點。

PMOs即periodic mesoporous organosilicas，介孔硅基有機-無機 雜化材料。它是一種分子水平上有機組分與無機組分在 孔壁中雜化的材料，這類材料有著許多獨特的性質：有機官能團均勻分佈在孔壁中且不堵塞孔道，有利於客體分子的引入和擴散；骨架中的有機官能團可以在一定程度L調節材料的物化性質，如機械性能，親/疏水性；可以同時實現對孔道和孔壁功能性的調變．正因如此，PMOs已成為當今材料科學領域的一個研究熱點。

上世紀90年代初以M41S(Mobile composite of matter)及FSM(folded sheets mesoporous materi-al)為代表的有序 介孔氧化硅材料的報道掀起了介孔材料的合成和應用研究的熱潮。一方面，有序介孔材料的出現突破了微孔材料(如沸石)的 孔徑限制，可以在有機大分子、生物大分子的固載、催化轉化等領域中得到應用；另一方面，介孔材料中不同取向、不同尺寸及不同連通度的孔道作為理想的納米反應器，可以用來組裝和限域金屬配合物及生物大分子，定向合成 納米粒子等．最初的介孔材料的 孔壁組成為氧化硅，為了拓展其在不同領域的應用，研究者們致力於擴展其孔壁組成的研究，包括雜原子摻雜介孔氧化硅，介孔金屬氧化物、金屬、硫化物、碳、聚合物等，以及對介孔氧化硅進行有機修飾怛¨．其中有機修飾是擴展其應用的最為便捷也最為靈活的途徑之一。對於有機官能化的介孑L氧化硅材料主要分為表面結合型及 橋鍵型有機一無機 介孔材料兩種。表面結合型有機一無機 介孔材料可以通過後嫁接或共縮聚兩種方式將有機 基團引入到介孔材料的孔道中。引入的有機 基團還可以通過進一步的化學反應衍生出新的 活性中心。表面結合型有機一無機 介孔材料的活性位比較容易接近，可選的有機基團種類也相對較多。但這種方法合成的材料存在有機基團分佈不均勻，佔用孔道空間降低 孔容等缺點。橋鍵型有機一無機 介孔材料，簡稱PMOs（Periodic Mesoporous Organosilicas)，是指有機基團存在於材料的 孔壁結構中的有機一無機介孔材料。

基於YunOS深度定製的PMOS專用移動操作系統。