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於麗娟

研究員

2000年至今在中科院半導體所從事半導體光電材料及相關器件的研究,曾參加高性能半導體光放大器規模化生產技術項目,研製出纖-纖增益大於15dB的半導體光放大器。 DBR材料特性及Ge/Si量子阱調製器的研究。目前,一直從事半導體光電器件的研究,已在國內外學術刊物及國際學術會議上發表30多篇學術論文和兩個專利。

於麗娟研究領域是半導體光電器件。

人物簡介


副研究員。1986年和1989年在吉林大學物理系獲學士和碩士學位,在對半導體材料的直接鍵合的研究過程中,已獲得了III-V半導體材料與硅鍵合的窗口溫度,並利用鍵合的方法在硅基上實現了1.55μm InGaAsP/InP激光器的室溫連續激射。2006年在英國帝國理工大學做訪問學者,主要從事Ge/Si DBR材料特性及Ge/Si量子阱調製器的研究。