碲化鋅
用於製作半導體材料的化合物
碲化鋅有立方和六方兩種晶型,前者從熔體中產出,後者從氣相中析出。碲化鋅也可以形成混合碲化物,它們都具有相同的四方晶型結構,例如ZnAlTe(a=510,c=1205),ZnGaTe(a=593.9,c=1187),ZnInTe(a=612.2,c=1224)。
碲化鋅與稀酸反應會放齣劇毒的碲化氫(HTe)
ZnTe+2H=HTe↑+Zn
碲化鋅是一種p型寬禁帶半導體,室溫下禁帶寬度為2.26eV,77K下禁帶寬度為2.38eV。
方法一:把多晶碲化鋅密封於一端呈錐形的石英安瓿中,可用Bridgman法從熔體中慢慢生長出碲化鋅單晶,為了防止碲化鋅熔體與石英容器壁粘結,石英安瓿必須預先噴砂,並塗上由丙酮或乙醇熱解而成的、極薄的碳膜。
碲化鋅的主要用途和硒化鋅相似,可以作為半導體和紅外材料,並有光導、熒光等特性。
安全術語
S36/37/39 穿戴適當的防護服、手套和護目鏡或面具
風險術語
R23吸入有毒
R25吞食有毒