張耀輝

張耀輝1989年畢業於南京大學物理系，

1995年在中科院半導體研究所獲博士學位。

1995至1996年為德國Paul-Drude固體電子研究所博士后。

1996年1998年任新加坡國立微電子研究所研究員。

1998年至2001年任新加坡國立微電子研究所高級研究工程師。

1999年至2001年，任摩托羅拉公司數字基因實驗室(中國)部門經理和首席工程師。

2001年至2003年為加州大學洛杉磯分校訪問學者。

2003年至今，北京大學微電子研究所兼職教授。

2006年6月通過中科院百人計劃資格評審，現為我所研究員，博士生導師。

1998年發明兩端固態自發混沌振蕩器用作保密通訊。

1999年至2001年發明了納米尺度的溝槽肖脫基MOS場效應晶體管。

2001年至2002年提出和設計了高介電常數閃爍存儲器單元器件結構，能使閃爍存儲器單元的讀寫電壓減小到10伏，讀寫時間減小到10微秒以下，並且能使閃爍存儲器能採用50納米以下的CMOS技術製造，讓1000G的閃爍存儲器可以大規模製造.

2002年提出和設計了高介電常數閃爍存儲器單元器件結構。

2004年理論和實驗證明了納米尺度的MOS場效應晶體管在積累區能自動具有單電子晶體管特性。

2005年研製出我國第一支無線通訊基站用的高頻大功率RF LDMOS器件，該產品擁有自主知識產權。