任迪遠

任迪遠同志長期從事半導體輻射物理領域的研究工作，先後主持或承擔了國家自然科學基金、國家“863”、航天科技預先研究、航天科技基金、中科院基礎重點研究、赴美國耶魯大學合作進行美國國家自然科學基金項目研究等20餘項科研課題。近期主要從事雙極類器件和電路的低劑量率輻射損傷增強效應及實驗室加速模擬評估方法的研究；大規模集成電路、SOI器件和電路的輻射損傷評估等方面的研究。目前已培養研究生26人（博士2人、碩士24人）。發表論文130餘篇。

獲國家科技進步三等獎1項；中科院科技進步一等獎1項、二等獎2項、三等獎2項；新疆維吾爾自治區科技進步二等獎2項、三等獎1項。

代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS

主要的學術兼職有：新疆維吾爾自治區科協委員，中國核學會理事，新疆維吾爾自治區核學會理事長，中國抗輻射電子學與電磁脈衝專業委員會委員；《Chinese Physics B》、《Journal of Semiconductors》等國內核心期刊的論文評審專家。

主要研究領域：

1．數字電路、模擬電路及光電器件的總劑量輻射效應及損傷機理研究；

2． 數字電路、模擬電路及光電器件的輻射損傷評估方法研究；

3． 數字和模擬電路及器件的抗輻射加固技術研究；

曾被國家863授予“《十五》國家863先進個人”稱號，及中國科學院授予的“《十五》預先研究先進個人”稱號。曾多次被評為新疆維吾爾自治區的優秀專家，享受國務院頒發的政府特殊津貼，並獲2000年中國科學院優秀領導班子獎。