PRAM

三星電子最近推出了世界上首款商業化的256Mb。三星計劃在2006年下半年將其投入量產，其商業化腳步大大超出預期時間。

三星電子公司的半導體主管Hwang Chang-Kyu表示：“曾發表過一項Hwang氏定律，指出存儲器晶元的存儲容量每12個月就會翻一番，這在PRAM上也適用。”與此相關的是，三星已經發布了其開發路線圖，計劃繼2005年開發256Mb PRAM后，在2006年推出512Mb，2007年推出1Gb。

正在積極向移動半導體市場挺進的Hynix半導體公司，也已經將PRAM視為其下一代存儲器產品的首位候選者，雖然該公司表示產品大規模量產的具體時間還將取決於市場條件。

像Ararion、O2IC和優先半導體這些韓國本土無晶圓半導體公司，也紛紛加快了各自開發專業存儲器晶元(PRAM、McRAM等)的步伐。據報道，O2IC公司的McRAM可以在一塊晶元上實現非易失性快閃記憶體和易失性DRAM和SRAM；而韓國電子通訊研究所(ETRI)藉助新材料開發的下一代PRAM，其運行速度是現有PRAM的4倍以上，而功耗則僅為1/10。

2007年10月10日消息，據國外媒體報道，一家中國台灣研究機構稱，它將在三年內推出相變內存（PRAM)，另一種與DRAM內存競爭的MRAM技術（磁性隨機儲存）也將在2008年底進入實用階段。

與六家中國台灣晶元製造商合作的工業技術研究院（ITRI)在兩年前開始開發相變內存技術。到目前為止，該合作集團已經得到了相關新技術的50項專利，並生產了晶元原型，同時還完成了晶圓切割。ITRI與晶元製造商的合作關係將在明年6月結束，但有可能再次結成新的合作。

PRAM內存可在晶元供電中斷時保存數據，與普通快閃記憶體的工作原理相同。但PRAM寫入數據的速度要比快閃記憶體快30倍，其壽命周期也將至少提高十倍。

ITRI可能不是第一家銷售PRAM內存產品的商家。全球最大晶元製造商三星公司在去年發布了512MB新內存原型，並有望在明年早些時候上市銷售。但ITRI其他公司有可能以更大的內存容量和不同功能來擊敗三星。

其他晶元製造商也在積極開發相變內存，其中有英特爾公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半導體公司、Hynix半導體公司和Ovonyx。

台積電和ITRI也在開發磁性隨機儲存內存技術（MRAM)，雙方已經獲得了與此有關的40多項專利。台積電有可能在明年底或2009年早期向客戶銷售MRAM。

新晶元運用了"垂直電極"及"3D晶體管結構"兩項技術，讓晶元的尺寸縮小，同時在寫入新數據時，也不必先將舊資料複寫。著眼於Samsung日前發表的32GB NAND內存還是屬於40奈米製程，就長期來看，PRAM也將比NAND更省成本。

IBM和幾家內存模塊大廠合作，包括Qimonda AG、台灣的旺宏電子（Macronix International），在固態內存（non-volatile memory）上頭，有了相當大的進展。

PRAM（Phase-Change RAM），這個在將來的將來可能取代快閃記憶體（將來用來取代傳統硬碟）的男人，不僅僅是在Samsung的大本營默默的蟄伏，以 IBM 為首的研究團隊，更是在速度上硬是壓下了 Samsung 先前發表的 30x 讀寫速度，一舉推到了500x~1000x，並且電力也只需要ㄧ半，壽命（重複寫入的次數）也大大的延長（以上皆是相較於一般快閃記憶體），IBM還是強大啊，硬碟到PRAM一路都是IBM在唱主角。

不過，Samsung這項技術是在近半年前發布，期間有啥變化，咱們也難以預知。而IBM方面預計在2015年能將PRAM應用在產品上，Samsung當時則是預計在2008年正式上路，大家就耐心等等吧！