LDMOS

LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)

結構見圖。

在高壓功率集成電路中常採用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現功率控制等方面的要求，常用於射頻功率電路。

與晶體管相比，在關鍵的器件特性方面，如增益、線性度、開關性能、散熱性能以及減少級數等方面優勢很明顯。

LDMOS由於更容易與CMOS工藝兼容而被廣泛採用。

LDMOS能經受住高於雙極型晶體管3倍的駐波比，能在較高的反射功率下運行而沒有破壞LDMOS設備；它較能承受輸入信號的過激勵和適合發射射頻信號，因為它有高級的瞬時峰值功率。LDMOS增益曲線較平滑並且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調電平到飽和區，不像雙極型晶體管那樣互調電平高且隨著功率電平的增加而變化。這種主要特性允許LDMOS晶體管執行高於雙極型晶體管二倍的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度係數是負數，因此可以防止熱耗散的影響。這種溫度穩定性允許幅值變化只有0.1dB，而在有相同的輸入電平的情況下，雙極型晶體管幅值變化從0.5~0.6dB,且通常需要溫度補償電路。