光學帶隙（optical band gap）非晶態半導體的本徵吸收邊附近的吸收曲線通常分為三個區域。
光學帶隙（opticalbandgap）非晶態半導體的本徵吸收邊附近的吸收曲線通常分為三個區域：價帶擴展態到導帶擴展態的吸收為冪指數區；價帶擴展態到導帶尾的吸收為指數區；價帶尾到導帶尾的吸收為弱吸收區。
非晶半導體的帶隙沒有明確的定義。定義其光學帶隙的簡單方法是E03或E04，即吸收係數為103cm-1或104cm-1時所對應的
光子能量。物理意義較明確的定義方法是Tauc帶隙，主要考慮冪指數區的帶-帶吸數，此時α(hv)∝c(hv-Eg)γ，C和γ與能帶結構有關，對於
拋物線形能帶結構γ取2，由(αhv)1/2～hv關係曲線求得的Eg稱為Tauc帶隙。