張韻

曾職（）半導司-研。初，職中國科學院半導體研究所。中組部青年項目引進人才。中國科學院半導體研究所所長助理，“十二五”科技部“第三代半導體材料”總體專家組成員。目前科研重點是AlGaN/GaN基大功率高頻/電力電子器件、AlGaN基深紫外波段光電子材料與器件等。

（）半導紫源領域：組半導材料MOCVD生長研究；UVB波段（280-320nm）AlGaN基紫外激光二極體器件製備研究；UVC波段（200-280nm）AlGaN基高效紫外發光二極體器件製備及在污染物分解、殺菌消毒等領域的應用研究等。

（）微器件領域：/基射頻/微波遷移率效管（）材料及器件製備研究；/基增強型（-）材料及器件製備研究；/基射頻異質雙極晶管（）材料及器件製備研究；AlN基體聲波濾波器製備研究等。

（3）第三代半導體單晶材料領域：高純半絕緣SiC單晶材料製備研究；AlN單晶材料製備研究等。

在III族氮化物（GaN基材料）等第三代半導體材料及器件物理領域開展了多年研究，獲得了首個GaN基射頻異質結雙極晶體管（HBT）、高靈敏度深紫外雪崩光電二極體（APD）、高亮度深紫外發光二極體（LED）、電注入藍綠光半導體激光器（LD）、光泵浦深紫外半導體激光器等世界先進的研究成果，已在國際學術期刊發表論文30餘篇。2012年初入選中組部第二批青年項目。

（1）提出紫外光加強濕法刻蝕方法以及雙檯面耗盡層設計，降低GaN基紫外雪崩光電二極體的表面漏電流，在GaN體襯底上達到雪崩光電增益超過104並實現具備單光子探測能力的蓋革模式工作。

（2）在GaN體襯底上實現了420nm藍紫光和460nm藍光InGaN基半導體激光器的室溫連續激射，證實漸變AlGaN電子阻擋層能夠大幅度提升InGaN基激光器的性能。

（3）在藍寶石襯底上實現了最高響應頻率大於5.3GHz的GaN基射頻異質結雙極晶體管。並在GaN體襯底上達到了141KA/cm2的電流密度以及3.05MW/cm2的功率密度。

（4）在我國首次實現AlGaN基激光器短於280納米深紫外UV-C波段光泵譜激射，並在280納米波段深紫外LED中實現100mA大電流注入下光功率輸出超過10mW，壽命（L80）超過3000小時。