彭英才
彭英才
彭英才，男，教授，博士生導師，畢業於河北大學無線電系（現在為電子信息工程學院）。自1974年畢業留校任教以來，一直從事半導體技術與微電子學的教學與科研工作·1990-1991年作為訪問學者赴日本豐橋技術科學大學進行Al膜的光化學全相沉積研究·2000-2001年，作為訪問研究員，赴日本廣島大學進行Si納米量子點的低壓化學氣相沉積研究·在長期的教學工作中，先後共開設<集成電路工藝原理>等六門本科生課程和<凝聚態物理學導論>等三門碩士研究生課程，並取得了良好的教學效果·在科研工作中，先後從事Si-SiO2界面的電學特性，薄膜的光化學氣相沉積，Si基納米材料的製備與發光特性研究，共發表學術論文100餘篇，先後主持完成河北省自然科學基金項目和河北省教委基金項目各一項，目前主持和主研河北省自然科學基金各一項，中國科學院半導體研究所開放課題各一項。
1由本人所主持的“非晶si 及 si 化物薄膜的光化學沉積機理與特性研究”河北省自然科學基金項目，獲河北省科學進步三等獎（2000年）
2先後在“J.APPI.phys”, “Chinese Science Bulletion” “物理學報”等20餘種國內外學術刊物上，共獨立和合作發表論文100餘篇。並有多篇被“SCI”,“EI”,“SA”，“CSCI”和“新華文摘”收錄。
3 先後參加了《現代科學技術知識辭典》，《現代科技綜述大辭典》和《現代科學技術概論》三部著作的編寫.
4在納米硅膜（nc－Si）的等離體化學氣相沉積生長研製中，首次觀測到了該結構中的共振隧川現象，並給出了圓滿物理解釋，本工作發表在1998年的《半導體學報》上。由本人所提出的Si基納米材料的三種發光模型，得到了同行們的認可，該工作發表在2002年的《Chinese ScienceBullenin》和《科學通報》上。對於晶體有序Si基納米材料的自組織化生長，提出了兩類六種生長模式，已得到同行認可，並準備於2004年在《材料研究學報》上發表。
1.LPCVD 自組織生長 Si 納米量子點的發光機制分析。發光學報
4.實現受激光發射的Si基納米材料與結構。人工晶體學報，
5. 晶粒有序Si基納米發光材料的自組織化生長. 材料研究學報，
6. 實現受激光發射探索Si基激光器。人工晶體學報，
7.提高摻鉺Si基納米材料發光效率的探索. 人工晶體學報，
8. Si 基納米發光材料的研究發展。科學通報，
9. Si 納米量子點的 LPCVD 自組織化形成及其生長機理研究。物理學報，
10. SiO 2 膜的薄層化對自組織生長 Si 納米量子點發光特性的影響。半導體學報，
基本信息
- 中文名
- 彭英才
- 國籍
- 中國
- 性別
- 男
- 出生地
- 河北保定
- 職業
- 教師、博士生導師
- 畢業院校
- 職稱
- 教授
- 擅長
- 非晶si 及 si 化物薄膜的光化學沉積機理與特性研究
- 主要成就
- 河北省科學進步三等獎 (2000年)
- 院系
- 電子信息工程學院