Hit

當前晶體硅太陽能電池技術基本上是以表面的鈍化為主線發展的。相對於傳統晶硅技術，由於非晶硅薄膜的引入，硅異質結太陽電池的晶硅襯底前後表面實現了良好的鈍化，因而其表面鈍化更趨完善。且非晶硅薄膜隔絕了金屬電極與硅材料的直接接觸，其載流子複合損失進一步降低，可以提升轉換效率。HIT技術較為先進，將成為高效光伏電池技術的領跑者，帶領光伏電池在效率提升的路上更進一步。

採用HIT結構的硅太陽能電池，所謂HIT結構就是在晶體矽片上沉積一層非摻雜（本徵）氫化非晶硅薄膜和一層與晶體硅摻雜種類相反的摻雜氫化非晶硅薄膜，採取該工藝措施后，改善了PN結的性能。因而使轉換效率達到23%，開路電壓達到729mV，並且全部工藝可以在200℃以下實現。