3D晶元

採用 3D Tri-Gate晶體設計製造工藝技術，依靠3D三門晶體管生產的處理器晶元。

世界上第一款3D晶元工藝已經準備獲取牌照，該工藝來自於無晶圓半導體設計公司BeSang公司。BeSang公司製作的用於演示的晶元在其控制邏輯上使用了1.28億個垂直晶體管用作內存位單元。該晶元的設計在國家Nanofab中心（韓國大田）和斯坦福Nanofab（美國加州）進行。BeSang公司稱，該工藝由25個專利所保護，將允許Flash、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器以及片上系統上。

BeSang公司聲稱該公司在底層使用高溫處理工藝進行製造邏輯電路，在頂層使用低溫工藝來製造內存電路，從而實現了3D晶元。將不同層的邏輯和內存電路放置在同一個晶元中，BeSang的處理工藝在每晶圓中集成了更多的裸片，從而降低了每個裸片的成本。在BeSang，Lee與前三星工程師Junil Park一起，完善了首款真正的3D晶元工藝，後者為第一個用於高K電介質的原子層沉積工具的開發者。因為新的晶元工藝不再堆集裸片，公司稱常規的冷卻技術就可以工作，因為較厚的3D晶元工藝不會產生格外的熱量。

3D晶元仍採用多核，不同的是，多個處理器不再並排相連，而是上下平行地連在一起。這樣，線纜的分佈面積就擴大至整個處理器的表面，而且平行結構也有效縮短了各個處理器之間纜線的長度。實驗顯示，平均1平方毫米的面積可以分佈100甚至是1000個線纜連接點，不但數據傳輸速度得到提高，電力消耗也大大減少。雖然3D晶元技術的出發點是為了提高計算機處理器的計算能力，但它的問世對環保事業同樣具有非凡的意義。

電子元件的進化歷程從未停止，它們變得越來越小、越來越強大，同時越來越廉價，與此同時，科學家從來沒有停止過對於速度的追求。兩年前的秋天，斯坦福大學的一個科研團隊開發出世界上第一台基於碳納米管製造的計算機，邁出了挑戰“硅晶元”計算機製造主流材料的第一步。兩年後的今天，科學家讓這款晶元成為時髦的3D碳納米管計算機晶元，新的堆疊方式能讓計算機晶元提高到1000倍的速度。

據科技日報報道，美國研究人員近日表示，他們使用碳納米管替代硅為原料，讓存儲器和處理器採用時髦的三維方式堆疊在一起，降低了數據在兩者之間的時間，從而大幅提高了計算機晶元的處理速度，運用此方法研製出的3D晶元的運行速度有可能達到目前晶元的1000倍。