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劉新宇
曾任中國科學院微電子研究所副所長
劉新宇,男,漢族,1973年10月出生,無黨派人士,微電子專業博士,研究員,博士生導師。曾任中國科學院微電子研究所副所長。
劉新宇,男,曾任中國科學院微電子研究所所長助理、微波器件與集成電路研究室(四室)主任,2011年5月任中國科學院微電子研究所副所長。還擔任中國科學院微電子器件與集成技術重點實驗室副主任,電子學會青年工作委員會委員,是國家“核高基”重大專項“十二五”編寫組專家。
1991——1995年,安徽師範大學物理系 學士
劉新宇[中國科學院微電子研究所副所長]
1998——2000年,中國科學院微電子研究所微電子專業 博士
主要研究領域為:III-V族化合物(GaAs、InP、GaN)半導體器件和電路工藝,微波MMIC設計和研製,以及微波功率模塊研究。
微波器件、模塊與集成電路
1998-2001年作為主要負責人參與國家九五攻關項目(亞微米CMOS/SOI器件與電路研究)和院重點創新項目(CMOS/SOI 64Kb靜態隨機存儲器研製),負責電路設計和工藝開發總體工作,“亞微米CMOS/SOI器件與電路研究”已通過國家驗收,並在國內首次研發出大規模CMOS/SOI 64Kb靜態隨機存儲器電路。
2000年,作為負責人之一參加院重點創新項目(8×10Gb/s DWDM光纖通信光電發射模塊研究),負責工藝開發工作。
2001年,主持國內首條4英寸GaAs生產線建設,成功開發4英寸GaAs HBT和HEMT工藝流程。
2002年,作為首席專家助理參加973項目“新一代化合物半導體電子器件與電路研究”,協助首席科學家錢鶴研究員開展項目整體協調,負責科研進度管理和財務稽查,同時負責重點子課題“AlGaN/GaN微波功率器件”。
2002年11月,作為首席科學家(錢鶴研究員)助理參加院重點創新項目,成功研製出國內領先的GaN基功率器件和InP基超高頻器件和電路,部分成果達到國際先進水平。
2006年,作為首席科學家負責重點創新項目“X波段寬禁帶半導體功率器件和材料研究”。
2008年,作為負責人之一負責自然基金重大項目“氮化鎵基毫米波器件和材料基礎與關鍵問題研究”。
2009年,作為首席科學家帶領團隊獲973項目“超高頻、大功率化合物半導體器件與集成技術基礎研究”滾動支持。
他師從著名科學家吳德馨院士,主要從事抗輻照SOI CMOS電路和化合物半導體微波器件、電路及模塊的研究與開發。先後參加和主持國家級項目9項,科研經費達到1.3億元。2000年,在國內首次研發出大規模CMOS/SOI 64Kb靜態隨機存儲器電路和萬門級全耗盡門陣列電路。2002年,年僅29歲的他被破格提升為研究員。2004年,擔任“973”項目“新一代化合物半導體電子器件與電路研究”首席科學家。2006年,接任973項目首席科學家。2007年5月,作為首席科學家負責院重點創新項目。 2009年,作為首席科學家的“973”項目“超高頻、大功率化合物半導體器件與集成技術基礎研究”獲得科技部的滾動支持,獲得國防科技一等獎一項。他先後在國內外重要學術刊物上發表學術論文90餘篇,申請國家發明專利26項。他是微電子所重點培養的青年後備幹部。
2020年7月31日,中共中國科學院黨組經研究,決定:免去劉新宇同志微電子研究所副所長職務,保留副局級。