液相外延

liquid phase epitaxy

液相外延【liquid phase epitaxy】【】由溶液中析出固相物質並沉積在襯底上生成單晶薄層的方法。液相外延由尼爾松於1963年發明，成為化合物半導體單晶薄層的主要生長方法，被廣泛的用於電子器件的生產上。薄層材料和襯底材料相同的稱為同質外延，反之稱為異質外延。液相外延可分為傾斜法、垂直法和滑舟法三種，其中傾斜法是在生長開始前，使石英管內的石英容器向某一方向傾斜，並將溶液和襯底分別放在容器內的兩端；垂直法是在生長開始前，將溶液放在石墨坩鍋中，而將襯底放在位於溶液上方的襯底架上；滑舟法是指外延生長過程在具有多個溶液槽的滑動石墨舟內進行。在外延生長過程中，可以通過四種方法進行溶液冷卻：平衡法、突冷法、過冷法和兩相法。