張楊

2002年6月畢業於浙江大學材料科學與工程學系獲工學學士學位，

2008年6月畢業於中國科學院半導體研究所微電子學與固體電子學專業獲工學博士學位，

2008年7月進入中科院半導體所工作。

1.III-V族、II-VI族半導體材料外延生長技術及器件工藝研究；

2.超低功耗銻化物基微電子材料及器件工藝研究；

3.新型超高靈敏度生物感測器研究

長期從事III-V族、II-VI族半導體材料的分子束外延生長、器件工藝以及單片集成電路的研究工作。取得的主要成果包括：（1）在國內率先研製了基於0.25微米工藝的高性能InP基共振隧穿二極體（RTD）/高電子遷移率（HEMT）晶體管單片集成電路；（2）採用分子束外延技術製備出具有一流電學特性的銻化物基高電子遷移率晶體管材料，利用生長的材料研製出超低功耗銻化物基高電子遷移率晶體管；（3）研製出高性能生物檢測晶元，基於低功耗電子器件的腫瘤標誌物生物感測器檢測極限達到pg/ml量級，對環境重金屬汞離子檢測極限達到10-10M量級。

作為負責人和科研骨幹先後承擔和參與多項國家“863”計劃、“973”計劃、中科院戰略性先導科技專項、國家自然科學基金、北京市自然科學基金等項目。已發表高水平SCI文章40餘篇，申請和授權國家發明專利7項。