王文武

1992－1997年：蘭州大學，本科學習；

1997－1998年：中國空間技術研究院第510研究所；

1998－2003年：蘭州大學，獲得理學博士學位；

2003－2006年：日本東京大學，獲得工學博士學位；

2006－2008年：日本半導體MIRAI項目；

現任中國科學院大學集成電路學院副院長。

納米尺度CMOS器件與工藝技術

1．2007年獲得日本半導體MIRAI項目優秀獎，獲獎項目：“Mechanism and control for the anomalous threshold voltage variation in metal/high-k gate stack”，本人排序：2；

2．2008年獲得日本半導體MIRAI項目最優秀獎，獲獎項目：“Clarification and quantification of interfacial dipole effect in high-k gate stack”，本人排序：9。

申請發明專利30餘項，其中美國專利2項，日本專利2項，國內專利30餘項。

承擔科研項目情況：

1．國家02科技重大專項項目：“22納米關鍵工藝技術先導研究與平台建設”（批准號：2009ZX02035），子課題負責人，在研；

2．國家自然科學基金重點項目：“鉿基金屬氧化物高k柵介質的基礎研究” （批准號：50932001），子課題負責人，在研；

3．教育部留學人員回國啟動基金：“納米尺度CMOS器件金屬柵極的製備和高k/金屬柵集成與閾值電壓控制技術”，課題負責人，在研；

4．中科院微電子研究所所長基金：“高k/金屬柵集成與閾值電壓控制技術” （批准號：08SF041001），課題負責人，在研。