寬頻隙半導體

寬頻隙半導體，室溫下，Si的帶隙為1.1eV，GaAs的帶隙為1.43eV，一般把室溫下帶隙大於2.0eV的半導體材料歸類於寬頻隙半導體，寬頻隙半導體在藍、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發射器件方面應用廣泛。