趙德剛

1994年、1997年在電子科技大學微電子科學與工程系分別獲得學士、碩士學位，

2000年在中國科學院半導體研究所獲得博士學位。

2009年度國家傑出青年科學基金獲得者，

2011年第十二屆中國青年科技獎獲得者。

現任中科院半導體研究所研究員，博士生導師。

主要從事GaN基光電子材料生長與器件研究，尤其是對GaN基紫外探測器的材料生長機理、材料物理及器件物理有較深入的理解和認識。

先後研製出高性能的GaN基紫外探測器單元器件、面陣和APD探測器，同時也為實現我國第一支GaN基激光器做出了貢獻。主持和承擔了國家863、973、自然科學基金等多個項目，在Appl.Phys.Lett.、J.Appl.Phys.等著名學術刊物上發表SCI論文100多篇，國家授權發明專利7項，撰寫中文、英文專著各一章。

在GaN材料方面，深入研究了緩衝層原理，創造出一種獨特的生長方法，生長出高質量的GaN材料，室溫下電子遷移率超過1000cm2/Vs，這是目前國際上報道的最好結果之一；研究了Al原子寄生反應機制，找到了控制寄生反應的方法，生長出高質量的AlGaN、AlN材料；發現室溫下GaN材料的應力狀態主要取決於外延層和襯底之間的熱失配，還發現GaN材料中的“黃光缺陷”和“藍光缺陷”與刃位錯緊密相關，並初步建立了GaN的光學、電學、結構性質的關係。

在GaN器件方面，發明了幾種紫外探測器新結構，設計出能夠監測紫外波長的新型器件，還創新性地提出了利用紫外探測器的響應光譜對p-GaN載流子濃度進行測量的新方法；研究了器件工藝技術，相繼製備出高性能的GaN基紫外探測器單元器件、面陣以及紫外APD雪崩探測器，並揭示了歐姆接觸和點缺陷對器件的影響機理；解決了GaN、p-AlGaN的一些生長難點，為實現我國第一支GaN基激光器做出了重要貢獻。