高功率半導體激光器

高功率半導體激光器的研製是“八五”、“九五”國防科工委重點項目之一，也是國防十六項關鍵技術中光電技術的關鍵技術。在國內首次實現高功率InGaAs/GaAs量子阱激光器的運轉，1—3W的激光器件的工作壽命可達幾千～幾萬小時。