硅單晶片是半導體的主要基片材料之一。硅單晶在生產過程中由於晶體生長可能出現晶體內缺陷，也可由於製備過程中留下的機械損傷以及污染導致半導體成品率的降低。為獲得表面光潔、平整的矽片,提高半導體成品率，對矽片必需進行研磨和拋光。研磨可使晶片表面達到微米級加工精度，但矽片經研磨后還會有一定的損傷層，需在拋光機中進行拋光。
目前了，矽片拋光均使用二氧化硅拋光液，其它如
氧化鉻、氧化錯、
氧化鎂及
銅離子拋光液已很少使用，這裡不作介紹。二氧化硅拋光液一般由50~100nm 的二氧化硅顆粒的溶膠或凝膠和鹼性的水溶液的體系組成。為改善矽片表面性能和穩定
拋光液的顆粒分散性和懸浮性，還可摻入一些添加劑。拋光液中二氧化硅固體濃度一般在2%~10%。拋光工藝中有的要求粗拋，有的要求精拋，故有粗拋液和精拋液之分。粗拋液顆粒尺寸稍大些,
pH 值一般在9.0~9.5;精拋液顆粒尺寸稍小些,pH 值為10.5~11.0。