梁駿吾

□ 工作單位：中國科學院半導體研究所

□ 所在學部：中國工程院 信息與電子工程學部

□ 專業特長：半導體材料

梁駿吾（1933.9.18--) 半導體材料專家。湖北省武漢市人。1955年畢業於武漢大學，1960年獲原蘇聯科學院冶金研究所副博士學位。中國科學院半導體研究所研究員。60年代解決了高純區熔硅的關鍵技術。1964年製備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研製成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶。80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了矽片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。主持“七五”、“八五”重點硅外延攻關，完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。獲國家科委科技成果二等獎一次、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次，以及其它國家部級獎勵多次。

1997年當選為中國工程院院士。

1960-1969，半導體研究所，副室主任；助研

1970-1978，湖北宜昌半導體廠，助理研究員

1978-，半導體研究所，研究員

2011-受聘哈工大合約教授

1984-，中國電子學會電子材料分會，副主任委員

1991-，中國材料研究學會，理事

1985-，中國電子學會，會士

專業領域

半導體材料

研究成就：

1978-1980，解決VLSI用硅單晶，主持

1983-1988，首創摻氮中子單晶，主持

1985-1995，硅外延材料製備，主持

1990-1994，生長超晶格量子阱材料，主持

獲獎：

1964，高純區溶硅單晶，國家科學技術委員會，科學技術成果獎，二等

1980,16K位MOS動態隨機存儲器，中國科學院，科學技術成果獎，一等

1988，摻氮中子嬗變硅單晶，中國科學院，科學技術進步獎，一等

1985,LPE GaAlAs/GaAs異質結構缺陷研究，晶體生長雜誌，

1990，半導體，化工出版社，

1991，水平式外延系統的計算機模擬，電子學報19,30,

成果

1、減壓薄層硅外延片