二次擊穿

二次擊穿

對於集電極電壓超過V(BR)CEO而引起的擊穿，只要外電路限制擊穿后的電流，管子就不會損壞，待集電極電壓減小到小於V(BR)CEO后，管子也就恢復到正常工作，因此這種擊穿是可逆的，不是破壞性的。

產生二次擊穿的原因主要是管內結面不均勻、晶格缺陷等。發生二次擊穿的過程是：截面某些薄弱點上電流密度增大，引起這些局部點的溫度升高，從而使局部點上電流密度更大，溫度更高……，如此反覆作用，最後導致過熱點的晶體熔化，相應在集射極間形成低阻通道，導致vCE下降，iC劇增，結果是功率管尚未發燙就已損壞。