CMOS電平

CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS

1 邏輯電平電壓接近於電源電壓，0 邏輯電平接近於 0V。而且具有很寬的雜訊容限。

Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。

相對TTL有了更大的雜訊容限，輸入阻抗遠大於TTL輸入阻抗。對應3.3V LVTTL，出現了LVCMOS，可以與3.3V的LVTTL直接相互驅動。

3.3V LVCMOS：

Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。

2.5V LVCMOS：

Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。

CMOS使用注意：CMOS結構內部寄生有可控硅結構，當輸入或輸入管腳高於VCC一定值(比如一些晶元是0.7V)時，電流足夠大的話，可能引起閂鎖效應，導致晶元的燒毀。

CMOS電路由於輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時，COMS的內部電流能達到40mA以上，很容易燒毀晶元。

防禦措施：

1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過規定電壓。

2）晶元的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓。

3）在VDD和外電源之間加限流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。

4）當系統由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟CMOS電路的電源，再開啟輸入信號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入信號和負載的電源，再關閉CMOS 電路的電源。

TTL電路與CMOS電路比較

1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。

2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。

CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns)，但功耗低。

CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈衝頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常現象。