ADI

紀初，····研究鋼冷速系，鋼奧氏體處理后並經一定溫度保持，得到針狀鐵素體和一定介面上沉澱的碳化物共析組織，具有良好的綜合性能。這種組織後來被稱為貝氏體。在較低溫度保持，形成針狀鐵素體和鐵索體內部一定晶面上沉澱的碳化物的混合物成為下貝氏體。在較高溫度保持，形成板條狀鐵素體和板條周圍沉澱的碳化物的混合物組織稱為上貝氏體，按現在對貝氏體的分類還有其他各類貝氏體，這種熱處理工藝叫做等溫淬火，一定成分的球磨鑄鐵經等溫淬火后得到的鑄鐵材料就是等溫淬火球墨鑄鐵——ADI



強，疲勞強，耐磨，吸效，替鋼件降低產減低件量。

⑴ 價格成本低

每公斤ADI比鍛鋼，鑄鋼，鑄鋁要低，如果以屈服強度的成本計算，ADI是最便宜的材料

⑵ 比重比鋼小

ADI的比重由於在其組織中有近10%左右的石墨，故同一體積的零件比鍛鋼要輕約10%。

⑶ 綜合性能優良

強度和伸長率都很高，具有優良的動態力學性能，比鍛鋼，鑄鋼以及微合金鋼要好很多，在數百萬次交變載荷作用后，抗疲勞性仍保持不變，缺口敏感性小（敏感係數2.2—2.4）

⑷ 減音效果好

ADI中的石墨，具有很好的吸音效果，故ADI零件工作時噪音小，這對汽車與各種其他運轉的機器十分有利。

⑸ 吸震性好

ADI彈性模量（E=1700Mpa）比鋼的彈性模量（E=2100Mpa）低20%，所以吸震性好，組織有石墨球，能快速吸收震動，使機件運轉平穩。

⑹ 好的抗摩擦磨損性能

因ADI中存在石墨球，能降低摩擦係數和運轉溫度，ADI零件在表面應力作用下，奧氏體中的高碳奧氏體有一部分轉變為穩晶馬氏體，提高了表面層硬度，改善抗磨性，而新的次表面又不斷發生以上過程，因此與同樣硬度的鋼相比，它的中晚期壽命更長。

⑺ 通過熱處理即能得到球墨鑄鐵等溫淬火ADI

在一般球墨鑄鐵的基礎上（指化學成分，熔煉方法，澆鑄處理，鑄造工藝等）增加了一個二階段等溫熱處理工序。給它帶來力學性能高的優點。同時又保留了原有鑄造工藝的好處，如可製造複雜形狀零件，可對材料進行回用，生產成本低，可批量生產等等，在很多場合，可取代鋼或者鋁的零件。

其他優點：

減輕及其重量

減少燃料，動力消耗

提高及其效率

改善環境污染

節約成本開支，提高效率效益

⑻ 鑄造工藝多樣性

除球磨鑄鐵件常用的粘土砂、樹脂砂、水玻璃砂等造型外，也有的採用了消失模鑄造工藝、V法鑄造工藝，也有根據球磨鑄鐵的凝固特性採用金屬型鑄造和金屬性覆砂鑄造，少數ADI管件還採用離心鑄造工藝。

熱處理工藝對性能的影響

熱處理是獲得ADI的關鍵步驟，其工藝合理性與否是直接決定ADI產品的質量。ADI熱處理工藝主要包括奧氏體化和等溫淬火二階段。

根據鐵碳圖，其完全奧氏體化的溫度865℃，考慮到爐內測溫點高於鑄件的溫度及轉變動力學，故適宜的完成奧氏體化溫度為880℃~920℃，當Si、P較高時，採用較高的奧氏體化溫度對於低合金的ADI合金元素Cu、Ni、Mo等可以降低奧氏體溫度，鑄造組織中若含有碳化物，則奧氏體化加熱溫度和保溫時間應適當提高。ADI工件奧氏體處理工藝過程應根據加熱爐的工況、工件轉載量、壁厚、升溫速度、爐內溫度均勻程度等具體情況而定，以便每個工件的最大斷面完成轉為奧氏體為準，必要時可採用分段加熱方式，奧氏體化保溫時間視需求可在60~240min。

對於雙相ADI，其奧氏體化處理在稱為臨界奧氏體溫度區間內進行。該溫度在780℃~850℃之間，此時，處在（α+γ）兩相區內。加熱時，奧氏體現在共晶團內的鐵素體間的界面形核長大，形成間斷或連續的網狀組織，其生長速度受碳擴散速度控制，故一切影響碳擴散速度的因素，皆影響奧氏體的生長速度，在臨界奧氏體化溫度區間內，隨著溫度的升高和保溫時間延長，奧氏體數量增加，先析出鐵素體數量少，根據對性能的不同要求，保溫時間再120~180min。

貝氏體鐵素體在230℃~500℃範圍內形成，在此轉變溫度範圍內的下限淬火，獲得下貝氏體和殘餘奧氏體，強度、硬度高、塑性低，在上限溫度獲得上貝氏體強度、硬度低、塑性高，這是由於溫度升高使過冷奧氏體轉變的孕育期縮短，轉變速度加快，碳原子的擴散速度增加，使奧氏體富碳，形成高碳的奧氏體，趨於穩定，使奧氏體數量增加，使塑性韌性增加、強度，硬度下降。

在等溫處理時，ADI轉變經歷分為兩個過程，第一階段奧氏體分解成貝氏體鐵素體加碳過飽和的高碳奧氏體（殘餘奧氏體），這個產物也稱為奧氏體；第二階段過飽和的高碳奧氏體進一步分解為碳化物，這些碳化物在晶界上析出，對ADI工件塑性和韌性產生影響，故要獲得理想的ADI組織，應在第一階段轉變結束，第二階段剛開始的時間間隔內，這個等溫處理時間為時間窗口。

在同一等溫溫度下，隨著等溫見識的延長，殘餘奧氏體的量不斷減少，貝氏體鐵素體的量不斷增加且組織趨於均勻，當等問問度低且等溫時間短，組織中將出現低碳奧氏體。因此碳殘餘奧氏體在室溫下將轉變為馬氏體，而使工件塑性韌性下降，故最宜的保溫時間以殘餘奧氏體中碳達到飽和為佳。

在臨界奧氏體處理后，雙相ADI組織中含有先析出鐵素體和奧氏體相，在隨後的等溫過程中奧氏體轉為新鐵素體（區別先析鐵素體）及高碳奧氏體，新鐵素體具有高塑性低強度，其生長速度與等溫時間、C的擴散及奧氏體中的ψ（C）量有關，ψ（C）量越高，其生長速度越慢甚至消失，因而形成單相的奧氏體區。

新鐵素體的數量不僅與等溫溫度，而且與臨界奧氏體體化處理有關，臨界奧氏體處理溫度越低，心鐵素體的量就越多，因為隨著奧氏體化處理溫度的升高，基體中的奧氏體ψ（C）量增加，為增加雙相ADI的塑性，可適當提高新鐵素體的數量。

一種索尼閃光系統

ADI（Advanced Distance Integration）

在TTL概念上領先的是索尼/美能達的“ADI（高級積分演演算法）閃光系統”。由其首創的工作原理是：閃光燈先發出預閃光，通過對預閃光的反射，收集到拍攝對象的距離信息，再進行測光分析並輸送到閃光測光運算，綜合了拍攝對象的距離、環境光線以及預閃光反射率等各項參數，計算出正確的閃光輸出量。

“ADI閃光系統”的閃光測光功能可以降低背景光和拍攝對象的反射影響，從而獲得高水平的精確閃光控制。ADI閃光功能必須使用索尼/美能達α系列D鏡頭，支持 ADI閃光功能的外接閃光燈有美能達5600HS(D）、3600HS(D）、2500(D）、索尼36AM、56AM、58AM。

目前索尼單反有：ADI（Advanced Distance Integration）閃光測光、TTL測光2種測光模式。當在外接閃光燈上安裝了漫散屏或在鏡頭上安裝了鋁片時，必須使用 TTL 測光。安裝這些配件可能導致 ADI 測光模式所需的距離信息有誤差，這是因為進入的光量有所減少。

ADI閃光系統最先在2000年推出的α-7相機上應用，也是幾大廠商中最先推出應用的。而尼康的i-TTL和佳能的E-TTL系統都和ADI閃光系統類似，分別在2004年以後的尼康D70、佳能EOS 30V（以及後來的EOS 20D）上才首次採用。這些先進的TTL閃光系統，原理大同小異，但是詳細解釋起來專業術語太多，很是繁瑣，也沒有必要全知道。大家只要記住以下內容就可以了：

最早的“標準TTL”閃光，只是考慮到了閃光主體的曝光度，也就是使用閃光拍攝一個人物，可以保證這個人曝光合適，至於周圍的環境，那是管不了的。所以這樣拍攝最有可能的結果是：人像清晰曝光適度，而背景則是一團漆黑；後來出現的這許多種高級TTL模式，則是可以把背景、周圍環境、主體距離都測量下來，全面綜合考慮去控制光圈和閃光，讓照片前後左右都清楚。甚至可以做到在照片上“不留閃光的痕迹”。目前先進的TTL閃光測光技術還可以實現拍攝前景人物和拍攝背景環境的單獨曝光補償。

根據以往實際使用各類TTL閃光測光功能的經驗，感覺以尼康的“i-TTL”系統效果較為突出，當使用尼康D200數碼單反相機進行閃光拍攝時，可以在全黑環境下，13米範圍內得到準確的對焦和前後清晰的曝光（使用SB-800閃光燈和AF-S 28-70/2.8D IF-ED鏡頭）。其他幾種品牌都沒有這樣強的黑暗條件下閃光測光能力。

閃光燈的壽命取決於兩個因素：

閃光管的閃光次數和高電壓張弛振蕩器的儲能電容老化程度。其中閃光管在正常條件下可以保證大約5000次的閃光壽命，但是其工作狀態有手動全光閃光和手動部分縮小強度閃光（TTL自動閃光、非TTL自動閃光也會縮小閃光強度）的區別，減弱閃光有利於延長閃光管壽命，所以兩種不同的工作狀態下閃光管壽命能相差若干倍；另外儲能電容器老化也會導致閃光燈充電不足而失效。

儲能電容器的工作狀態有經常充電和長時間閑置的區別，經常反覆充電的電容器壽命會比較長，長期閑置的情況下電容器壽命會大幅度縮減，太長時間的擱置甚至會直接導致電容器嚴重漏電、容量下降而損毀。現在雖然很多廠家在技術改進中採用了新式的鉭電容器取代老式的電解電容，但是這一問題依然沒有徹底解決。因此閃光燈在不拍攝使用的情況下，最好能每月充放電閃光2-3次，這樣才能延長閃光燈的“服役年限”。

不鼓勵購買二手閃光燈，因為無法知道此燈在出售以前閑置了多長時間。