輝鉬

莫氏硬度：1-1.5

比重：4.7-4.8

類別：六方晶系

輝鉬是硫化物的一種，是一種軟金屬，觸摸時有油膩感，又鱗狀物組成，呈無光澤的鉛灰色，若將其置於容器中加熱，會產生黃色煙霧。在不鏽鋼上鍍一層輝鉬，能增加其韌度，並能防腐。輝鉬礦脈為灰色或灰綠色，多為不規則或片狀角柱狀，輝鉬礦是鉬的二硫化物，是最重要的鉬礦資源。輝鉬礦中還常含有錸，並且還是含錸最高的礦物，因此它還是提煉錸的最主要礦物。主要產地為挪威，非洲南部和澳大利亞。

輝鉬 - 優勢領域

同硅相比，輝鉬的優勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而硅是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩納米厚的硅薄膜上一樣容易。但目前不可能把硅薄膜做得像輝鉬薄膜那麼薄。輝鉬的另一大優勢是比硅的能耗更低。在固態物理學中，能帶理論描述了在特定材料中電子的能量。在半導體中，自由電子存在於這些能帶之間，稱為“帶隙”。如果帶隙不太小也不太大，某些電子就能跳過帶隙，能更有效控制材料的電子行為，開關電路更容易。

輝鉬 - 間隙值

輝鉬單分子層內部天然就有較大的帶隙，雖然它的電子流動性較差，但在製造晶體管時，用一種氧化鉿介質柵門就可使室溫下單層輝鉬的運動性大大提高，達到富勒烯納米帶的水平。富勒烯沒有帶隙，要想在上面人為造出帶隙非常複雜，還會降低其電子流動性，或者需要高電壓。由於輝鉬直接就有帶隙，可以用單層輝鉬製造間帶通道場效應晶體管，且在穩定狀態下耗能比傳統硅晶體管小10萬倍。在光電子學和能量捕獲應用領域，單層輝鉬還能與富勒烯共同使用，形成優勢互補。

近日，瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）納米電子學與結構（LANES）實驗室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料製造半導體，或用來製造更小、能效更高的電子晶元，在下一代納米電子設備領域，將比傳統的硅材料或富勒烯更有優勢。研究論文發表在1月30日的《自然？納米技術》雜誌上。

輝鉬在自然界中含量豐富，通常用於合金鋼或潤滑油添加劑中的成分，在電子學領域尚未得到廣泛研究。“它是一種二維材料，非常薄，很容易用在納米技術上，在製造微型晶體管、發光二極體（LEDs）、太陽能電池等方面有很大潛力。”洛桑聯邦理工學院教授安德列斯？凱斯說，他們將這種材料同硅以及當前主要用於電子和計算機晶元的富勒烯進行了對比。

同硅相比，輝鉬的優勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而硅是一種三維材料。“在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩納米厚的硅薄膜上一樣容易。”凱斯解釋說，“但目前不可能把硅薄膜做得像輝鉬薄膜那麼薄。”

輝鉬的另一大優勢是比硅的能耗更低。在固態物理學中，能帶理論描述了在特定材料中電子的能量。在半導體中，自由電子存在於這些能帶之間，稱為“帶隙”。如果帶隙不太小也不太大，某些電子就能跳過帶隙，能更有效控制材料的電子行為，開關電路更容易。

輝鉬單分子層內部天然就有較大的帶隙，雖然它的電子流動性較差，但在製造晶體管時，用一種氧化鉿介質柵門就可使室下單層輝鉬的運動性大大提高，達到富勒烯納米帶的水平。富勒烯沒有帶隙，要想在上面人為造出帶隙非常複雜，還會降低其電子流動性，或者需要高電壓。由於輝鉬直接就有帶隙，可以用單層輝鉬製造間帶通道場效應晶體管，且在穩定狀態下耗能比傳統硅晶體管小10萬倍。在光電子學和能量捕獲應用領域，單層輝鉬還能與富勒烯共同使用，形成優勢互補

輝鉬的半導體材料實際比石墨烯還要先進和節能，輝鉬是良好的下一代半導體材料，在製造超小型晶體管、發光二極體和太陽能電池方面具有很廣闊的前景，將對太陽能和軍事等領域的發展產生極大的推進作用。

輝鉬概念股及上市公司一覽[石墨烯之後就輝鉬，輝鉬有望成下一代半導體材料]