張興旺

1994和1999年從蘭州大學物理系獲學士和博士學位。

1999至2001年在香港中文大學電子工程系進行博士后研究，

2001至2004年任德國烏爾姆大學固體物理系博士后及洪堡學者，

於2004年7月入選中科院“百人計劃”，加入中科院半導體材料重點實驗室。

二維原子晶體材料與器件，光伏材料與器件，寬頻隙半導體材料與器件。

發展了一種製備大面積、高質量六方氮化硼（h-BN）二維原子晶體的新方法，製備出毫米尺寸h-BN單晶疇。製備出光電轉換效率超過21%的平面異質結鈣鈦礦電池，被中國太陽能電池的最高紀錄表格收錄，也是世界上同類電池結構中的最高效率。首次成功製備出異質外延生長的立方氮化硼（c-BN）薄膜，相關結果在Nat.Mater.上發表后得到國際同行科學家的廣泛關注和高度評價，為實現c-BN薄膜作為高溫電子材料奠定了基礎。

已主持或承擔科技部863、973計劃、國家重點研發計劃、國家自然科學基金等科研課題20餘項，在Nat.Mater.,Nat.Energy,Nat.Commun.Adv.Mater.,等國內外雜誌發表SCI論文140餘篇，論文被他引2300餘次，獲授權發明專利20項；曾獲北京市科學技術進步二等獎及中科院優秀研究生指導教師獎，指導的研究生4人獲中科院院長獎，5人獲中科院優秀畢業生，多人次獲國家獎學金。