硅納米晶，即尺寸在納米級的硅晶體(silicon nanocrystal)。
硅是間接帶隙半導體，發光效率低。但硅納米晶由於量子限制效應（quantum confinement effect），使得能帶寬度隨硅納米晶尺寸大小而變化，而且發光效率大大增強。常見的硅納米晶都以鑲嵌在氧化物
介質中的形式存在，如鑲嵌在
SiO2的介質中，發光譜可覆蓋可見光波段到近紅外，單個硅納米晶的尺寸一般在2-6nm。
起源於canham在室溫下發現
多孔硅發光，從而引起對低維度限制的硅的研究熱潮。但多孔硅由於不穩定，易被氧化，物理性質脆，難以與現有的硅工藝相結合等缺點，使得研究熱情轉移到鑲嵌在介質中的硅納米晶。