內存雙通道

內存雙通道

雙通道,就是在北橋(又稱之為MCH)晶元級里設計兩個內存控制器,這兩個內存控制器可相互獨立工作,每個控制器控制一個內存通道。在這兩個內存通CPU可分別定址、讀取數據,從而使內存的帶寬增加一倍,數據存取速度也相應增加一倍(理論上)。

目前流行的雙通道內存構架是由兩個64bit DDR內存控制器構築而成的,其帶寬可達128bit。因為雙通道體系的兩個內存控制器是獨立的、具備互補性的智能內存控制器,因此二者能實現彼此間零等待時間,同時運作。兩個內存控制器的這種互補“天性”可讓有效等待時間縮減50%,從而使內存的帶寬翻倍。雖然這項新規格主要是晶元組與主機板端的變化,然而雙通道存在的目的,也是為了解決內存頻寬的問題,使主機板在即使只使用DDR400內存的情況下,也可以達到頻寬6.4GB/s。雙通道是一種主板晶元組(Athlon 64集成於CPU中)所採用新技術,與內存本身無關,任何DDR內存都可工作在支持雙通道技術的主板上。

工作原理


雙通道內存技術其實是一種內存控制和管理技術,它依賴於晶元組的內存控制器發生作用,在理論上能夠使兩條同等規格內存所提供的帶寬增長一倍。它並不是什麼新技術,早就被應用於伺服器和工作站系統中了,只是為了解決台式機日益窘迫的內存帶寬瓶頸問題它才走到了台式機主板技術的前台。在幾年前,英特爾公司曾經推出了支持雙通道內存傳輸技術的i820晶元組,它與RDRAM內存構成了一對黃金搭檔,所發揮出來的卓絕性能使其一時成為市場的最大亮點,但生產成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況,最後被市場所淘汰。由於英特爾已經放棄了對RDRAM的支持,所以目前主流晶元組的雙通道內存技術均是指雙通道DDR內存技術

內存技術


雙通道內存技術是解決CPU匯流排帶寬與內存帶寬的矛盾的低價、高性能的方案。現在CPU的FSB(前端匯流排頻率)越來越高,英特爾 Pentium 4比AMD Athlon XP對內存帶寬具有高得多的需求。英特爾 Pentium 4處理器與北橋晶元的數據傳輸採用QDR(Quad Data Rate,四次數據傳輸)技術,其FSB是外頻的4倍。英特爾 Pentium 4的FSB分別是400、533、800MHz,匯流排帶寬分別是3.2GB/sec,4.2GB/sec和6.4GB/sec,而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的內存帶寬分別是2.1GB/sec,2.7GB/sec和3.2GB/sec。在單通道內存模式下,DDR內存無法提供CPU所需要的數據帶寬從而成為系統的性能瓶頸。而在雙通道內存模式下,雙通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的內存帶寬分別是4.2GB/sec,5.4GB/sec和6.4GB/sec,在這裡可以看到,雙通道DDR 400內存剛好可以滿足800MHz FSB Pentium 4處理器的帶寬需求。而對AMD Athlon XP平台而言,其處理器與北橋晶元的數據傳輸技術採用DDR(Double Data Rate,雙倍數據傳輸)技術,FSB是外頻的2倍,其對內存帶寬的需求遠遠低於英特爾 Pentium 4平台,其FSB分別為266、333、400MHz,匯流排帶寬分別是2.1GB/sec,2.7GB/sec和3.2GB/sec,使用單通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能滿足其帶寬需求,所以在AMD K7平台上使用雙通道DDR內存技術,可說是收效不多,性能提高並不如英特爾平台那樣明顯,對性能影響最明顯的還是採用集成顯示晶元的整合型主板。

內存擴展


NVIDIA推出的nForce晶元組是第一個把DDR內存介面擴展為128-bit的晶元組,隨後英特爾在它的E7500伺服器主板晶元組上也使用了這種雙通道DDR內存技術,SiS和VIA也紛紛響應,積極研發這項可使DDR內存帶寬成倍增長的技術。但是,由於種種原因,要實現這種雙通道DDR(128 bit的并行內存介面)傳輸對於眾多晶元組廠商來說絕非易事。DDR SDRAM內存和RDRAM內存完全不同,後者有著高延時的特性並且為串列傳輸方式,這些特性決定了設計一款支持雙通道RDRAM內存晶元組的難度和成本都不算太高。但DDR SDRAM內存卻有著自身局限性,它本身是低延時特性的,採用的是并行傳輸模式,還有最重要的一點:當DDR SDRAM工作頻率高於400MHz時,其信號波形往往會出現失真問題,這些都為設計一款支持雙通道DDR內存系統的晶元組帶來不小的難度,晶元組的製造成本也會相應地提高,這些因素都制約著這項內存控制技術的發展。

內存控制


普通的單通道內存系統具有一個64位的內存控制器,而雙通道內存系統則有2個64位的內存控制器,在雙通道模式下具有128bit的內存位寬,從而在理論上把內存帶寬提高一倍。雖然雙64位內存體系所提供的帶寬等同於一個128位內存體系所提供的帶寬,但是二者所達到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個獨立的、具備互補性的智能內存控制器,理論上來說,兩個內存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時運作。比如說兩個內存控制器,一個為A、另一個為B。當控制器B準備進行下一次存取內存的時候,控制器A就在讀/寫主內存,反之亦然。兩個內存控制器的這種互補“天性”可以讓等待時間縮減50%。雙通道DDR的兩個內存控制器在功能上是完全一樣的,並且兩個控制器的時序參數都是可以單獨編程設定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構造、容量、速度的DIMM內存條,此時雙通道DDR簡單地調整到最低的內存標準來實現128bit帶寬,允許不同密度/等待時間特性的DIMM內存條可以可靠地共同運作。

台式晶元


支持雙通道DDR內存技術的台式機晶元組,英特爾平台方面有英特爾的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之後的915、925系列;VIA的PT880,ATI的Radeon 9100 IGP系列,SIS的SIIS 655,SIS 655FX和SIS 655TX;AMD平台方面則有VIA的KT880,NVIDIA的nForce2 Ultra 400,nForce2 IGP,nForce2 SPP及其以後的晶元。在雙通道流行的今天,MCP73居然不支持。當然,考慮到設計Intel平台晶元組時必須加入內存控制器,再加上MCP73是單晶元設計,能夠做到如此高的集成度實屬不易,畢竟是針對低端整合市場的晶元組產品,也無須對MCP73Series不支持雙通道這一點過分苛求。而且當前單通道DDR2800所提供的帶寬也已經可以滿意處理器的需要。MCP73最多支持2組DIMM,最高可支持8GB系統內存,不過有別於Intel晶元組設計,MCP73內存控制器並不會和FSB速度同步,因此使用任何速度的FSB處理器,均能支持DDR2-800頻率,這在一定程度上彌補了不支持雙通道DDR2的不足。

AMD


AMD的64位CPU,由於集成了內存控制器,因此是否支持內存雙通道看CPU就可以。目前AMD的台式機CPU,只有938介面的才支持內存雙通道,754介面的不支持內存雙通道。除了AMD的64位CPU,其他計算機是否可以支持內存雙通道主要取決於主板晶元組,支持雙通道的晶元組上邊有描述,也可以查看主板晶元組資料。此外有些晶元組在理論上支持不同容量的內存條實現雙通道,不過實際還是建議盡量使用參數一致的兩條內存條。

安裝要求


內存雙通道一般要求按主板上內存插槽的顏色成對使用,此外有些主板還要在BIOS做一下設置,一般主板說明書會有說明。當系統已經實現雙通道后,有些主板在開機自檢時會有提示,可以仔細看看。由於自檢速度比較快,所以可能看不到。因此可以用一些軟體查看,很多軟體都可以檢查,比如cpu-z,比較小巧。在“memory”這一項中有“channels”項目,如果這裡顯示“Dual”這樣的字,就表示已經實現了雙通道。兩條256M的內存構成雙通道效果會比一條512M的內存效果好,因為一條內存無法構成雙通道。
過去內存模塊在頻寬與數據傳輸速度方面的進展,始終與中央處理器保持一定程度的落差,而隨著中央處理器的運算速度越來越快,在理想的狀況下必須同時提升前端匯流排(Front Side Bus) 以及內存匯流排 (Memory Bus) 的速度,以便讓計算機系統能夠表現出原先預期的效能,然而以單通道的內存速度以及匯流排的傳輸頻寬,仍是無法應付中央處理器及前端匯流排的需求。
隨著Intel將前端匯流排外頻提升至800MHz ,中央處理器與北橋晶元之間的數據傳輸頻寬將提升至6.4GB/s,而此一頻寬不論是使用DDR266或是DDR333的內存模塊,都不足以應付,必須同時搭配雙通道 (Dual Channel)的DDR400內存規格才能達到6.4GB/s,以符合FSB800對頻寬的需求。
規則:
要實現雙通道模式, 必須滿足以下條件:
• 在每個通道 DIMM 配置匹配
• 匹配在對稱內存插槽
如果配置不滿足上述條件恢復為單通道模式。以下情況不需要滿足:
• 品牌相同
• 計時規格相同
• 相同的速度 (MHz)
DIMM 模塊中組裝的速度最慢系統決定內存通道速度。

內存對比


KVR4G*1 與 KVR4G*2
單條
單條
雙通道
雙通道