固體電子學

學科主要研究內容：（1）信息光電子學和光通訊。（2）超高速微電子學和高速通訊技術。（3）功率半導體器件和功率集成電路。（4）半導體器件可靠性物理。（5）現代集成模塊與系統集成技術。

研究內容：具有全新物理思想和創新性器件結構的高效半導體激光器、高效高亮度發光管和新型中遠紅外探測器，研究光通訊、光電信號、圖象處理，研究光電探測、控制等激光、發光、紅外光電子信息技術和應用系統。本方向有項目博士后流動站。

本方向主要研究具有全新物理思想和結構的異質結超高頻（高速）器件及超高頻（高速）電路，特別是超高頻低雜訊SiGe/Si HBT、IC和光通訊、移動通訊、高速計算相關的電路和通訊應用系統，具有極重要科學價值和極廣闊的應用前景。

本方向包括兩方面研究內容：電力電子器件與靈巧功率集成電路研究以及微波功率半導體器件與微波集成電路研究。分別簡介如下：

電力電子器件與靈巧功率集成電路研究的根本用途是進行電能的變換與控制，它的應用已滲透到通訊、機電一體化等各個領域。本室在從事處於國際前沿地位的研究工作，提出了不少具有國際創新思想的新的器件結構和工作原理，如：新結構的超高速雙極功率開關管、新結構超低損耗IGBT、新結構高速集成電路等。

微波功率半導體器件與微波集成電路研究是微波通訊、雷達、各種軍事電子對抗等微波設備與系統的心臟。本研究室正在從事著具有國際創新結構的新器件及集成電路的研究。

本方向從事微電子器件可靠性物理的研究（各種類型的分立半導體器件、集成電路和模塊）。可靠性被列為四大共性技術之一，是目前國際上最為活躍的研究和發展的一個領域。目前的研究方向主要包括四個方向：

VLSI/ULSI互連技術及可靠性的研究：隨著電路的高密度化、高速化，互連技術已成為VLSI/ULSI繼續向前發展的一個瓶頸。本研究室在此領域處於國際前沿的研究工作。

高速微電子器件及MMIC的可靠性研究：主要研究GaAs基和Si/SiGe HBT高速器件、MMIC的可靠性及評價技術。

GaN寬頻隙半導體器件的可靠性及評價技術：重點研究寬頻隙半導體材料、器件及相關的可靠性問題。

半導體熱測量，熱失效分析和熱設計：主要研究各種功率半導體器件、集成電路和光電子器件，各種熱測量技術（nm級區域），熱失效分析及熱設計，本研究室在這一領域處於國際前沿地位的研究工作。

本方向包含兩方面研究內容。其一是研究以IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MCM（多晶元組件）為代表的現代集成模塊及組件：模塊和組件工作原理、設計及製作方法，封裝熱應力設計，應用與可靠性，系統測試方法和模擬設計；其二是研究半定製ASIC設計和現代系統集成技術。