U盤晶元

快閃記憶體晶元分為三類

SLC、MLC和TLC晶元

什麼是SLC

SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。

SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1個信息單元，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術受限於Silicon efficiency的問題，必須要由較先進的流程強化技術(Process enhancements)，才能向上提升SLC製程技術。

什麼是MLC

MLC英文全稱（Multi Level Cell——MLC)即多層式儲存。主要由東芝、Renesas、三星使用。

英特爾（Intel）在1997年9月最先開發成功MLC，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating

Gate（快閃記憶體存儲單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位（Level）的電荷，通過內存儲存的電壓控制精準讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級，每個單元儲存兩位數據，數據密度比較大。SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此，MLC架構可以有比較好的儲存密度。

與SLC比較MLC的優勢

簽於當前市場主要以SLC和MLC儲存為主，我們多了解下SLC和MLC儲存，並且可以利用老舊的生產程備來提高產品的容量，無須額外投資生產設備，擁有成本與良率的優勢。

與SLC相比較，MLC生產成本較低，容量大。如果經過改進，MLC的讀寫性能應該還可以進一步提升。

與SLC比較MLC的缺點

MLC架構有許多缺點，首先是使用壽命較短，SLC架構可以寫入10萬次，而MLC架構只能承受約1萬次的寫入。

其次就是存取速度慢，在當前技術條件下，MLC晶元理論速度只能達到6MB左右。SLC架構比MLC架構要快速三倍以上。

再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。

雖然與SLC相比，MLC缺點很多，但在單顆晶元容量方面，當前MLC還是佔了絕對的優勢。由於MLC架構和成本都具有絕對優勢，能滿足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場需求。

U盤中使用的SLC、MLC、TLC快閃記憶體晶元的區別

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，當前還沒有廠家能做到1000次。

需要說明的快閃記憶體的壽命指的是寫入(擦寫)的次數，不是讀出的次數，因為讀取對晶元的壽命影響不大。

面是SLC、MLC、TLC三代快閃記憶體的壽命差異

SLC 利用正、負兩種電荷 一個浮動柵存儲1個bit的信息，約10萬次擦寫壽命。

MLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲2個bit的信息，約一萬次擦寫壽命，SLC-MLC【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。

TLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。

快閃記憶體產品壽命越來越短，當前市場上已經有TLC快閃記憶體做的產品了

鑒於SLC和MLC或TLC快閃記憶體壽命差異太大

強烈要求數碼產品的生產商在其使用快閃記憶體的產品上標明是SLC和MLC或TLC快閃記憶體產品

許多人對快閃記憶體的SLC和MLC區分不清。就拿當前熱銷的MP3隨身聽來說，是買SLC還是MLC快閃記憶體晶元的呢？在這裡先告訴大家，如果你對容量要求不高，但是對機器質量、數據的安全性、機器壽命等方面要求較高，那麼SLC快閃記憶體晶元的首選。但是大容量的SLC快閃記憶體晶元成本要比MLC快閃記憶體晶元高很多，所以2G以上的大容量，低價格的MP3多是採用MLC快閃記憶體晶元。大容量、低價格的MLC快閃記憶體自然是趨勢所在，但是其固有的缺點，也不得不讓我們考慮一番。