海力士
中國現代電子產業領先企業
Hynix海力士晶元生產商，源於韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代內存，2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM製造商，也在整個半導體公司中占第九位。
2019年9月5日，SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經完全使用中國生產的氟化氫取代了日本產品。
2019年10月，2019福布斯全球數字經濟100強榜發布，海力士位列第28位。
海力士為原來的現代內存,2001年更名為海力士。
2012年更名SKhynix。
海力士半導體在1983年以現代電子產業有限公司成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體，從現代集團分離出來。2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器製造商。2012年2月，韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內存大廠。
2019年9月5日，據韓國《中央日報》報道，在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚醯亞胺等尖端半導體材料后，SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經完全使用中國生產的氟化氫取代了日本產品。
2021年4月15日，SK海力士已經成立了一個新的團隊，專註於晶圓廠設備技術的開發，並聘請了專家，該小組將由SK海力士負責產品和生產的高層領導，直接向SK海力士半導體開發製造總裁JinKyo-won彙報，Jin負責DRAM和NANDFlash從開發到批量生產，提高運營效率。
2021年5月21日，三星電子和SK海力士等韓國四大企業集在以韓美首腦會談為契機舉行的商務圓桌會議上發布對美投資計劃，總規模達394億美元。三星電子決定將為晶圓代工廠新建項目投資170億美元。
2021年6月，英國競爭和市場管理局表示，已批准英特爾公司將其快閃記憶體製造業務出售給韓國海力士半導體（SK Hynix Inc.）的交易計劃。
在韓國有4條8英寸晶圓生產線和一條12英寸生產線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產線。2004年及2005年全球DRAM市場佔有率處於第二位，中國市場佔有率處於第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人。海力士（Hynix）半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創造舒適的生活環境。海力士半導體致力生產以DRAM和NANDFlash為主的半導體產品。
海力士半導體以超卓的技術和持續不斷的研究投資為基礎，每年都在開闢已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。另外，海力士半導體不僅標榜行業最高水平的投資效率，2006年更創下半導體行業世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經濟注入新鮮血液的發展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發展的相生經營。海力士半導體為發展成為令顧客和股東滿意的先導企業，將盡心盡責，全力以赴。
2020年10月20日，韓國晶元製造商海力士半導體（SKHynix）以90億美元全現金交易收購英特爾（Intel）其NAND快閃記憶體及存儲業務，這筆交易將讓海力士在晶元領域躍居全球第二名。
2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級，並爭取提升至10納米級，預計到2016年完成該項技術升級。
2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。
2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月成立中國無錫市後續工程合作社。
04月世界最先開發低耗電-高速(LowPower-HighSpeed)Mobile1GbDDR2DRAM。
03月世界最先發表8GB2-RankDDR3R-DIMM產品認證。
02月世界最先開發44nmDDR3DRAM。
01月世界最先獲得關於以伺服器4GBECCUDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證。
2008年12月世界最先開發2GbMobileDRAM。
11月引進業界最高速7Gbps、1GbGDDR5GraphicsDRAM。
08月清州第三工廠的300mm組裝廠竣工。
世界最先推出使用MetaRAMtm技術的16GB2-RankR-DIMM。
為引進嶄新而創新性NAND快閃記憶體存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大。
05月與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
04月為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速MobileLPDDR2。
02月引進2-Rank8GBDDR2RDIMM。
01月簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同。
2008年發表00MHz、1GB/2GBUDIMM產品認證。
2007年12月成功發行國際可兌換券(globalconvertiblenotes)。
11月WTO做出判決海力士進口晶元相關報復性關稅一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議，獲得對1GbDDR2DRAM的英特爾產品認證，業界最先開發1GbGDDR5DRAM。
10月與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同。
09月以24層疊晶元(stackedchips)，世界最先開發NAND快閃記憶體MCP。
08月開發出業界最高速、最小型1GbMobileDRAM。
07月發表企業中長期總體規劃。
05月業界最先獲得關於DDR3DRAM的英特爾產品認證。
04月DOCH3開始大量生產在韓國清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率。
03月開發出世界最高速ECCMobileDRAM發表“生態標記(ECOMark)”與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鐘甲就任新任代表理事、社長。
01月開發出以“晶圓級封裝(WaferLevelPackage)”技術為基礎的超高速存儲器模塊。
2006年創下最高業績及利潤。
2006年12月業界最先發表60nm1GbDDR2800MHz基礎模塊，開發出世界最高速200MHz512MbMobileDRAM。
10月創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網路。
09月300mm研究生產線下線。
03月業界最先獲得英特爾對80nm512MbDDR2DRAM的產品認證。
01月發表與M-Systems公司的DOCH3共同開發計劃(快閃記憶體驅動器內置的新型DiskOnChip)。
2005年12月世界最先開發512MbGDDR4、業界最高速度及最高密度GraphicsDRAM。
11月業界最先推出JEDEC標準8GBDDR2R-DIMM。
07月提前從企業重組完善協議中抽身而出。
04月海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮。
03月發布2004年財務報表，實現高銷售利潤。
01月與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協議。
2004年11月與意法半導體公司（STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議。
08月與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議。
07月獲得公司成立以來最大的季度營業利潤。
06月簽訂非內存事業營業權轉讓協議。
03月行業首次開發超高速DDRSDRAM550MHz1GDDR2SDRAM獲得Intel的認證。
02月成功開發NAND快閃記憶體。
2003年12月宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU。
08月宣布發表在DRAM行業的第一個1GbDDR2問世。
07月宣布在世界上首次發表DDR500。
06月512MDDR400產品在DRAM業內首次獲得英特爾的認證。
05月採用0.10微米工藝技術投入生產，超低功率256MbSDRAM投入批量生產。
04月宣布與STMicroelectronics公司簽訂協議合作生產NAND快閃記憶體。
03月發表世界上第一個商用級的mega-levelFeRAM。
2002年11月出售HYDIS，TFT-LCD業務部門。
10月開發0.10微米、512MBDDR。
08月在世界上首次開發高密度大寬頻256MB的DDRSDRAM。
06月在世界上首次將256MB的SDRSDRAM運用於高終端客戶。
03月開發1GDDRDRAM模塊。
2001年08月開發世界上速度最快的128MBDDRSDRAM。
08月完成與現代集團的最終分離。
07月剝離CDMA移動通信設備製造業務‘HyundaiSyscomm’。
05月剝離通信服務業務‘HyundaiCuriTel’。
剝離網路業務‘HyundaiNetworks’。
03月公司更名為“Hynix半導體有限公司”。
2000年08月剝離顯示屏銷售業務‘HyundaiImageQuest’。
04月剝離電子線路設計業務‘HyundaiAutonet’。
1999年10月合併LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社。
03月出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC）。
1998年09月開發64M的DDRSDRAM。
1997年05月在世界上首次開發1GSDRAM。
1996年12月公司股票上市。
1989年11月完成FABIII。
09月開發4M的DRAM。
1988年11月在歐洲當地設立公司（HEE）。
01月開發1M的DRAM。
1986年06月舉行第一次員工文化展覽會“AmiCarnical”。
04月設立半導體研究院。
1985年10月開始批量生產256K的DRAM。
1984年09月完成FABII-A。
1983年02月創立現代電子株式會社，公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營，持續經營報告書倫理經營，倫理經營宣言倫理綱領組織介紹實踐體系產業保安方針在線舉報公司標誌。
2013年9月4日下午3點半左右，無錫新區海力士公司的生產車間發生氣體泄漏，引發車間屋頂排氣管洗滌塔管道的保護層著火。無錫消防200多名官兵趕至現場撲救，截至當日18點，明火已全部撲滅。從車間疏散出人員中，1人受輕微外傷，另有10餘人去醫院進行呼吸道檢查，均無大礙。火災發生后，無錫市委主要領導作出批示，市政府和無錫新區領導第一時間趕赴現場組織開展滅火救援，市環保部門迅速組織對企業周邊環境、空氣質量情況進行檢測。火災原因仍在調查中。
2013年9月初發生在無錫新區SK海力士的一場大火已經過去了幾個月，這場大火儘管沒有人員傷亡，但其影響卻很大，比如在國內晶元市場和保險市場方面。
昨日（12月19日），有險企人士向《每日經濟新聞(微博)》記者透露，SK海力士大火報損約10億美元，保險業估損將達9億美元，這將是國內最大的一筆保險賠案。
上述險企人士進一步介紹稱，該案件各家保險公司基本上都辦理了再保險，主要涉及的再保險公司包括：韓國再保險、瑞士再保險、慕尼黑再保險等，而這個案例會影響到直保和再保險財險公司的承保利潤，同時也將會導致半導體行業來年費率以及再保險費率的上漲。
SK海力士大火的首席承保人是韓國現代財險，國內的人保財險和太平洋產險等13家公司都險都參與其中。SK海力士火災的最終賠付金額已確認在9億美元，這是國內保險史上的最大一筆理賠案。江蘇省保監局保險財產保險監管處處長王雷介紹，現在的進展情況是正在運行之中，已經預付了大約3億美金。13家大型保險公司都在為這起火災承擔賠付，這也將推高今年企業財產險的相關保費。
2018年5月31日，中國反壟斷機構對三星、海力士、美光位於北京、上海、深圳的辦公室展開突然調查，三大巨頭有礙公平競爭的行為以及部分企業的舉報推動了中國反壟斷機構發起此次調查。
根據美光、三星、海力士財報統計，2017財年，三家公司的半導體業務在中國營收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元，總計446.8億美元，同比2016財年的321億美元增長39.16%。
2020年2月20日，韓國存儲晶元大廠SK海力士表示，該公司位於韓國京畿道利川工廠的一名新員工曾與大邱市新冠肺炎確診病例有密切接觸，公司出於最安全考慮，所有與該員工有接觸的人員全部隔離，共計800多名。
2021年5月3日，韓國正式解除了近14個月的做空禁令，這堪稱韓國史上最長的做空禁令。本次做空禁令的解禁範圍主要集中於韓國市場市值較大，且流動性豐富的權重股，幾乎占韓國股市總市值的八成左右，三星電子、SK海力士等韓國大型股都在其中。
2021年5月，海力士在美國因涉嫌操控DRAM價格被起訴。
2021年6月23日，《科創板日報》消息SK海力士正尋求全面收購8英寸晶圓代工廠Key Foundry。
2019年10月，2019福布斯全球數字經濟100強榜發布，海力士位列第28位。
2020年5月13日，SK海力士名列2020福布斯全球企業2000強榜第296位。
2021年1月12日，《華祥苑·華茶·2020胡潤世界500強》榜單發布，海力士以價值3947億元人民幣排名第235位。
2021年2月7日，榮登2021全球最有價值的100個科技品牌排行榜，排名第49位。
2021年3月12日，SK海力士從美國外國投資委員會（CommitteeonForeignInvestmentintheU.S.）獲得關於收購英特爾NAND快閃記憶體業務的許可，該項批准使90億美元的NAND快閃記憶體交易進入計劃好的最終交割階段。
2021年5月，位居福布斯2021全球企業2000強第173位。
