楊樹

2014年先後在香港科技大學擔任客座助理教授，在英國劍橋大學做博士后。

2016年進入浙江大學電氣工程學院，擔任“百人計劃”研究員。

現為浙江大學電氣工程學院教授、博士生導師。

研究領域

作為第一作者的研究成果被包括美國工程院院士、歐洲科學院院士、英國皇家工程院院士、中國科學院院士等著名學者，以及Infineon、TSMC、NXP等國際領先半導體公司多次引用和正面評價，多次被Compound Semiconductor和Semiconductor Today產業雜誌專題報道。

研究領域為下一代高效率能量轉換系統中的GaN半導體器件核心技術及物理機理。GaN，即氮化鎵，屬於第三代半導體材料。主要從事寬禁帶半導體電力電子器件的設計、微納製造、分析表徵以及可靠性研究。在氮化鎵MIS器件界面優化、硅基氮化鎵器件緩衝層陷阱效應物理機制、基於同質外延的垂直型氮化鎵電力電子器件等方向開展了一系列工作。

論文

近五年來在本領域權威期刊IEEE EDL、IEEE T-ED、APL，電子器件和功率半導體頂級會議IEDM、ISPSD等共發表60餘篇論文（其中SCI論文30餘篇），編寫英文專著章節一章，其中一篇論文被德國Wiley-VCH期刊PSSA選為封面，受邀在IWN’2012、RFIT’2015、ISCS’2016、IFWS’2016、MOCVD’2016等會議上做特邀報告。

IEEE和EDS、PELS會員。

IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、PSS等國際期刊審稿人。