微晶硅

名稱：微晶硅；納米晶硅;microcrystalline silicon μc-Si

又稱納米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性質不同於大晶粒多晶硅，又不同於非晶硅。帶隙可達2.4eV(晶體硅為1.12eV)，電子和空穴遷移率均高於非晶硅兩個數量級以上。光吸收係數介於晶體硅和非晶硅之間。採用輝光放電化學氣相沉積法，減壓化學沉積法，磁控濺射法，非晶硅熱處理法等製備。可用作太陽電池窗口材料、異質結雙極型晶體管、薄膜晶體管等。