單異質結激光器

單異質結激光器可以分為同型異質結（N－n或P－p）和異型異質結（N－p或P-n）

同質PN結：兩邊採用相同半導體材料的PN結稱為同質PN結。

特點：

（1）同質PN結兩邊具有相同的帶隙結構和相同的光學性能。

（2）PN結區完全由載流子的擴散形成。

同質PN結半導體激光器

特點：P-N結區較大，且電子或空穴向結區外擴散嚴重，使形成粒子數反轉較難，要求泵浦電流較大，且只能以脈衝方式工作。是早期的半導體激光器，目前已不採用此類結構。圖 單異質結激光器能帶結構示意圖以N－n同型單異質結激光器能帶為例，當兩種半導體材料緊密接觸時形成異質結時，由於禁帶寬度大的N型半導體的費米能級比禁帶寬度小的高，所以電子將從前者向後者流動。結果在禁帶寬度小的N型半導體一邊形成了電子的積累層，而另外—邊形成了耗盡層。由此形成了值為LE，的勢壘層。在一定電流注入下，有源層積累的非平衡載流子濃度將增加。單異質結激光器的閾值電流密度比同質結低一個數量級，並實現了在室溫下斷續工作，因而得到了一些實際應用。