碳化硅陶瓷

碳化硅主要有兩種晶體結構，即立方晶系的β-SiC和六方晶系的-SiC。碳化硅晶體的基本結構單元是相互穿插的SiC和CSi四面體。四面體共邊形成平面層，並以頂點與下一疊層四面體相連形成三維結構。由於四面體堆積次序的不同可以形成不同的結構，已發現數百種變體。一般採用字母C(立方)、H(六方)、R(菱方)米表示其晶格類型，並用單位晶胞中所含的層數以示區別，例如nH表示沿c軸有n層重複周期的六方晶繫結構，而mR則表示沿c軸有m層重複周期的菱面體結構。

SiC陶瓷的缺點是斷裂韌性較低，即脆性較大，為此近幾年以SiC陶瓷為基的復相陶瓷，如纖維(或晶須)補強、異相顆粒彌散強化、以及梯度功能材料相繼出現，改善了單體材料的韌性和強度。

1、高散熱能力，高熱導係數，與高絕緣能力

2、耐高溫工作環境及抗腐蝕環境

3、最佳的電子絕緣與避免滋生EMI問題

4、重量輕，高表面積

5、易於安裝，無長期保存之品質問題

6、為環保材質與環保製程產品，對環境友善。

SiC的最初應用是由於其超硬性能，可製備成各種磨削用的砂輪、砂布、砂紙以及各類磨料，因而廣泛應用於機械加工行業。第二次世界大戰中又發現它還可以作為鍊鋼時的還原劑以及加熱元件，從而促進了SiC的快速發展。SiC陶瓷在石油、化工、微電子、汽車、航天、航空、造紙、激光、礦業及原子能等工業領域獲得了廣泛的應用，碳化硅已經廣泛應用於高溫軸承、防彈板、噴嘴、高溫耐蝕部件以及高溫和高頻範圍的電子設備零部件等領域。