異質結雙極晶體管

異質結雙極晶體管HBT(HeterojunctionBipolorTransistar)是指發射區、基區和收集區由禁帶寬度不同的材料製成的晶體管。異質結雙極晶體管的發射極效率主要由禁帶寬度差決定，幾乎不受摻雜比的限制。這就大大地增加了晶體管設計的靈活性。

1998年10月IBM首次量產鍺硅異質結雙極晶體管（SiGe HBT）。由於SiGe HBT具有GaAs的性能，而與硅工藝的兼容性又使其具有硅的低價格，因此SiGe技術獲得了長足的進展, SiGe HBT技術已成為RF集成電路市場的主流技術之一，並對現代通信技術的發展產生了深遠的影響。HBT基的射頻集成電路（RFIC）已在蜂窩行動電話末級功率放大器、基站驅動級、有線電視的光纖線路驅動器上獲得成功，證明HBT的性能比通用的MESFET的性能更好。

異質結雙極晶體管類型很多，主要有SiGe異質結雙極晶體管, GaAlAs/GaAs異質結晶體管，和NPN型InGaAsP／InP異質結雙極晶體管, NPN AlGaN/GaN異質結雙極晶體管等.

異質結雙極晶體管是縱向結構的三端器件，發射區採用輕摻雜的寬頻隙半導體材料（如GaAs、InP），基區採用重摻雜的窄帶隙材料（如AlGaAs、InGaAs）。ΔEg的存在允許基區比發射區有更高的摻雜濃度，因而可以降低基極電阻，減小發射極－基極電容，從而能得到高頻、高速、低雜訊的性能特點。由於ΔEg>0、並且有一定的範圍，所以電流增益也很高，一般直流增益均可做到60以上。特別值得指出的是，用InGaAs作基區，除了能得到更高的電子遷移率外，還有較低的發射極－基極開啟電壓和較好的雜訊特性。它的閾值電壓嚴格的由ΔEg決定，與普通的FET的閾值電壓由其溝道摻雜濃度和厚度決定相比容易控制、偏差小且易於大規模集成。這也是HBT重要的特點。HBT的能帶間隙在一定範圍內可以任意地進行設計。

異質結雙極晶體管的結構特點是具有寬頻隙的發射區，大大提高了發射結的載流子注入效率。HBT的功率密度高，相位雜訊低，線性度好，單電源工作，雖然其高頻工作性能稍遜於PHEMT，但它特別適合在低相位雜訊振蕩器、高效率功率放大器、寬頻放大器中應用。

下表是RF IC的幾種工藝的性能比較:

最近幾年，除GaAs基的HBT已達到了相當好的速度，如fT=170GHZ以外，InP基的HBT發展也很快，其最好的器件fT及fmax已超過200GHZ，SiGeHBT則是近年來人們十分重視的器件;主要原因是硅的VLSI發展已很成熟，SiGeHBT可以借用VLSI的工藝較快用到微電子領域。近幾年已有報導採用商用的超高真空CVD(UHVCD)設備在8″CMOS線上製作的SiGe外延材料製作的HBT，形成12位數模轉換器，其工作速度達1GHZ，比硅器件要快很多，而功耗延遲乘積也優於已實用的三五族化合物材料的異質結器件。

典型的InGaAs/InP 單和雙異質結二級型晶體管（SHBT和DHBT）如下圖:

SHBT和DHBT由多種材料的化合物製成，起始於磷化銦襯底。

InGaAs/InP是一種很重要的HBT材料.InGaAs/InP相比於其他材料的優點：

InGaAs中的高電子遷移率（GaAs中的1.6倍，Si中的9倍）。瞬時電子過沖的程度也比GaAs中的大。所以可以得到較高的ft值。

InGaAs的能帶隙比Si和GaAs的窄，可以製造有低開啟電壓（ VBE）和低功率耗散的磷化銦HBT。

對於給定的摻雜級，磷化銦有較高的擊穿電場。

InGaAs表面的複合速度（10^3cms^-1）比GaAs表面的（10^6cms^-1）小得多。減小了發射極周圍由表面複合速度引起基極電流。

比GaAs高的襯底導熱率（0.7vs0.46Wcm/K）。

這種器件與光源和1.3μm 波長輻射的光電探測器直接兼容，相當於基於Si的光纖中的最低色散波長。所以它對OEIC集成很有用。