opc

OPC = Optical Proximity Correction

光學鄰近校正(OPC)是一種光刻增強技術，影響造成的圖像錯誤。OPC主要在半導體器件的生產過程中使用，目的是為了保證生產過程中設計的圖形的邊緣得到完整的刻蝕。這些投影圖像出現違規行為，如線寬度比設計窄或寬，這些都可以通過改變掩模版來補償成像。其他的失真，如圓角，受光學工具解析度的制約，更加難以彌補。這些失真如果不糾正，可能大大改變生產出來的電路的電氣性能。光學鄰近校正通過移動掩模版上圖形的邊緣或添加額外的多邊形來糾正這些錯誤。根據寬度和間距約束（即基於規則的OPC），或者是通過使用緊湊的模型動態模擬(即基於模型的OPC)的結果預先計算出一個查找表，根據這個查找表來決定怎樣移動圖案的邊緣，找到最好的解決方案。OPC的目標是儘可能的使矽片上生產出的電路與原始的電路一致。

應用條件

一般來說，當晶圓上的線寬小於曝光波長時，必須對掩模上的圖形做鄰近效應修正。例如，使用248nm波長光刻機，當圖形線寬<250nm時，必須使用簡單的修正；當線寬<180nm時，則需要非常複雜的修正。使用193nm波長光刻機，當最小線寬<130nm時，就必須做圖形修正。

基於經驗的光學鄰近效應修正

光學鄰近效應修正首先於250nm技術節點被引入報道提光刻工藝中。OPC軟體根據事先確定的規則對設計圖形做光學鄰近效應修正。這種方法的關鍵是修正規則，它規定了如何對各種曝光圖形進行修正。其形式與內容會極大的影響OPC數據處理的效率和修正的精度。修正規則是從大量實驗數據中歸納出來的，隨著計算技術的發展，修正規則也可以通過計算的方法產生。修正規則都是在一定光照條件下產生的。如果工藝條件發生了變化，這些修正規則必須重新修訂。

基於模型的光學鄰近效應修正

基於模型的光學鄰近效應修正從90nm技術節點開始被廣泛應用。它使用光學模型和光刻膠化學反應模型來計算出曝光后的圖形。該方法的關鍵是建立精確的光刻模型，包括光學模型和光刻膠模型，為達到較高的計算速度，這些模型都採用近似模型，其中包含一系列參數，需要實驗數據來進行擬合，以保證模型的精確度。顯然實驗數據越多，模型擬合越精確。但是太多的測試圖形會使得晶圓數據的收集量太大。因此，測試圖形的設計非常關鍵。