去耦

防止發生不可預測的反饋，影響下一級放大器或其它電路正常工作。

例如

使用一個共發射極接法三極體，由於Vcc有內阻，當基極輸入交流信號，會在電源Vcc電流（基極集電極電流和）產生交流電流，從而影響偏置端基極。導致輸出端電壓不穩定。通常的解決辦法是使用電容對Vcc交流接地，去除此影響。這個解決辦法叫做去耦。

去耦：專指去除晶元電源管管腳上的雜訊，該雜訊是晶元本身工作產生的。

在直流電源迴路中，負載的變化會引起電源雜訊。例如在數字電路中，當電路從一個狀態轉換為另一種狀態時，就會在電源線上產生一個很大的尖峰電流，形成瞬變的雜訊電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變化而產生的雜訊，是抑制電路板的可靠性設計的一種常規做法。

●電源輸入端跨接一個電解電容器，如果印製電路板的位置允許，採用比較大的電解電容器的抗干擾效果會更好。

●為每個集成電路晶元配置一個0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印製電路板空間小而裝不下時，可每4～10個晶元配置一個1～10uF鉭電解電容器，這種器件的高頻阻抗特別小，在500kHz～20MHz範圍內阻抗小於1Ω，而且漏電流很小（0.5uA以下）。

●對於雜訊能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應在晶元的電源線（Vcc）和地線（GND）間直接接入去耦電容。

●去耦電容的引線不能過長，特別是高頻旁路電容不能帶引線。