林蘭英

1918年2月7日出生於福建莆田縣。幼年上了礪青小學，在礪青小學的成績始終在有著40多名男女學生的班中佔據前兩名，校長彭介之決定保送她進入礪青中學。

1930年9月，進入礪青中學初中部一年級，初中六個學期她都保持全年級第一。

1933年9月，進入莆田中學高中部一年級，成了當時高一年級唯一的一名女生，後來由於莆田中學搞起了學生運動，對運動本無興趣，轉學至莆田縣惟一的一所教會女子中學———咸益中學就讀。

1936年，考入福建協和大學（福建師範大學前身）物理系。

1940年，從福建協和大學畢業後作為優秀生留校任助教，教授《普通物理學》《高等數學》《光學》《物性聲學》《電磁學》等課程。

1944年，擔任福建協和大學講師。

1947年5月，福建協和大學與美國賓夕法尼亞州的迪金森學院建立互換留學生的關係。

1948年8月9日，遠涉重洋到美國留學，進入國賓夕法尼亞州的迪金森學院數學系學習。

1949年，獲得了迪金森學院數學學士學位，同時獲得美國大學榮譽學會迪金森分會獎勵她的一枚金鑰匙。同年深秋，進入賓夕法尼亞大學研究生院，開始了固體物理的研究。

1951年，獲得賓夕法尼亞大學固體物理學碩士學位。之後繼續攻讀博士學位，師從米勒教授。

1955年6月，憑藉博士論文《弱X射線輻照引起氯化鉀和氯化鈉晶體的膨脹》獲得賓夕法尼亞大學固體物理學博士學位，是該校建校215年以來，第一位獲得博士學位的中國人，也是該校有史以來的第一位女博士。博士畢業后，導師推薦她去紐約長島專司半導體研究的索菲尼亞公司任高級工程師。之後，她被聘為從事半導體科研工作的索菲尼亞公司（Sylvania公司）高級工程師，靠傑出的科學分析指導，公司成功地造出了第一根硅單晶，不久，又為公司申報了兩項專利，公司三次提高她的年薪。回國時索菲尼亞公司給她年薪10000美元，回國后每月207元人民幣。

1956年6月，以“母親重病”為由，向印度駐美國大使館提交回國申請，9月使館通知她填寫有關回國事宜的表格。

1957年1月29日，幾經周折抗爭，乘坐的客輪安抵香港，在國務院辦公廳精心周密安排下，她走上了深圳羅湖橋頭，回到了中國，之後由大弟林文豪送她經上海去北京，進入中國科學院物理研究所工作，歷任研究員，副所長。

1960年，擔任中國科學院半導體研究所研究員。

1980年，當選為中國科學院學部委員。

1980年11月，赴朝鮮講學，一連講了6天，金日成專門抽時間接見了她。

林蘭英有兩個弟弟、四個妹妹。妹妹因是女兒身而被送了人。林蘭英幼年倖免被送人的命運，得益於她是長女。幼年的林蘭英勤勞敏學，心靈手巧，許多事她做起來輕鬆自如，尤其是刺繡剪紙，做得格外漂亮，剪出的“公雞報曉”、“嫦娥奔月”、“喜鵲登枝”等名目繁多的窗花，總讓堂姐妹們格外羨慕。”

2003年3月4日在北京因病醫治無效逝世，享年85歲。

科研綜述

林蘭英率先組織和領導了中國生長硅單晶、銻化銦、砷化鎵和磷化鎵單晶的研究，並首先獲得了上述半導體單晶。為在中國率先研究半導體集成電路和光電子器件的單位提供了多種半導體單晶材料，並向全國推廣上述單晶生長技術和相應的材料測試技術，為中國微電子學和光電子學的開創奠定了基礎。參與組織領導4千位16千位大規模集成電路-MOS隨機存儲器的研製，1980、1982年兩次獲得中國科學院科技進步一等獎。她指導的高純砷化鎵液相外延和氣相外延材料研究達到國際先進水平，其中高純砷化鎵氣相外延研究至今仍然保持著採用鹵化系統的國際最高水平。1987年首次在世界上在微重力條件下從熔體中生長砷化鎵單晶獲得成功。以後又相繼四次在中國返回式衛星上生長生長砷化鎵單晶，在空間晶體生長、材料物理研究及器件應用等方面取得諸多科研成果。利用空間生長的半絕緣砷化鎵製造的微波低雜訊場效應晶體管和模擬開關集成電路的特性及優質品率提高。

1958年秋天，中國第一根硅單晶誕生，長8厘米、直徑5.08厘米的圓柱體硅單晶。

1961年深秋，由林蘭英主持設計加工的中國第一台開門式硅單晶爐製造成功。

1962年春天，正式啟動拉制工作，中國第一根無位錯的硅單晶拉製成功。

1963年，東京舉辦國際工業博覽會，日本特邀這台硅單晶爐赴東京參展，后中國生產了900多台，遠銷東歐諸國。

1962年10月，一個半導體學術會議上，林蘭英拿出了砷化鎵單晶。經鑒定，砷化鎵單晶的電子遷移率達到當時國際上最高水平。

1964年，由她參與的中國第一隻砷化鎵二極體激光器問世。

“文革”開始那年，她還與中國第一位女院士林巧稚一同登上天安門城樓，事後便跌於“文革”的沼澤中。

1973年，還在“文革”風雨中的她，第一次提出用汽相外延和液相外延法製取砷化鎵單晶，後來，砷化鎵汽相外延電子遷移率連續4年居國際最高水平，至今還處於國際領先地位。

80年代，她開創性地提出在太空微重力條件下拉制砷化鎵的設想。1987年8月，中國終於在第九顆返回式人造衛星上拉制出了第一塊高質量低缺陷的砷化鎵單晶。

1982年，高純LPEGaAs生長及性質，晶體生長雜誌，

1989年，太空GaAs製備與性質，材料科學文集

1993年，林蘭英論文選，福建科學技術出版社

承擔項目

1959-1964，直拉硅和區熔硅晶體生長，主持

1977-1980，高純VPE和LPEGaAs外延材料生長，主持

1985-1990，LCSSI-GaAs晶體生長，主持

1987-1994，空間GaAs材料生長和性質，主持

科研成果獎勵

林蘭英先後四次獲中國科學院科技進步獎一等獎，兩次獲國家科學技術進步獎二、三等獎。

新浪新聞：林蘭英是中國半導體材料科學的奠基人和開拓者，她帶動同事一起創造了多個“新中國的第一”，受到全世界科學家關注，在砷化鎵晶體太空生長和性質研究諸方面取得了舉世矚目的成就，被譽為“中國太空材料之母”。

2002年，因莆田舊城改造，林潤故居原樣遷移到莆田城南鄉溝頭村的莆田一中新校區內，內含林潤的後裔、林蘭英院士故居。林蘭英去世后，骨灰從北京運至林潤故居內埋葬並建立林蘭英陵園。故居的廳堂豎立林蘭英塑像。林蘭英在北京的住宅和辦公室中的所有書籍和傢具也運回莆田故居，陳列在林潤故居內。

2004年12月，林蘭英院士塑像揭幕儀式在莆田第一中學舉行，中國科學院半導體研究所所長李晉閩及莆田市有關領導、部分科技專家、教師和學生共數千人參加了揭幕儀式。